[发明专利]一种PVT法单晶批量制备装置及方法在审

专利信息
申请号: 202110448564.1 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113122916A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00
代理公司: 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 代理人: 李晓敏
地址: 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 pvt 法单晶 批量 制备 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:包括加热器(1)、石墨盖(2)、石墨托(3)、籽晶支撑结构(4)、籽晶(5)、坩埚中段(7)、石墨筒(8)、感应线圈(9)、石墨盘(10)、支撑环(11)、坩埚体(12)和籽晶托(14),所述坩埚体(12)、坩埚中段(7)、石墨盖(2)由下至上依次连接,在坩埚体(12)与坩埚中段(7)连接部安装有石墨盘(10),石墨盘(10)上加工有多个圆形通孔,圆形通孔对应位置安装石墨筒(8),石墨筒(8)位于坩埚中段(7)内部,坩埚中段(7)与石墨盖(2)连接部安装有支撑环(11),支撑环(11)的上部设置有石墨托(3),石墨托(3)上与石墨盘(10)圆形通孔对应位置处加工有圆孔,石墨托(3)的圆孔内通过籽晶支撑结构(4)连接有籽晶托(14),籽晶托(14)的下部连接籽晶(5),感应线圈(9)安装在坩埚中段(7)和坩埚体(12)的外侧,加热器(1)位于装置的上下两侧。

2.根据权利要求1所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:还包括石墨片(6),石墨托(3)与石墨盖(2)之间安装石墨片(6)。

3.根据权利要求1所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:所述坩埚体(12)的上部加工有阶梯卡环,石墨盘(10)安装在坩埚体(12)的阶梯卡环处。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:所述石墨筒(8)的下端连接多孔石墨筒(16),多孔石墨筒(16)插入到坩埚体(12)内的反应原料(15)中。

5.一种PVT法单晶批量制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一:将连接后的石墨筒(8)与多孔石墨筒(16)放入到坩埚体(12)中,向坩埚体(12)内放入反应原料(15),将石墨盘(10)圆形通孔与石墨筒(8)配合连接使石墨筒(8)与多孔石墨筒(16)位置固定;

步骤二:石墨盘(10)上端连接坩埚中段(7),在坩埚中段(7)上方内侧放入支撑环(11),在支撑环(11)上方放置石墨托(3);

步骤三:将承载籽晶(5)的籽晶托(14)放置到籽晶支撑结构(4)上,籽晶支撑结构(4)固定在石墨托(3)的圆孔处,将石墨片(6)放置在石墨托(3)上侧,盖上石墨盖(2);

步骤四:启动加热器(1)和感应线圈(9),进入长晶阶段;

步骤五:长晶阶段结束后,降温至室温;

步骤六:依次拆解石墨盖(2)、石墨片(6),取出石墨托(3),从石墨托(3)上取下籽晶支撑结构(4),得到单晶体。

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