[发明专利]一种PVT法单晶批量制备装置及方法在审
申请号: | 202110448564.1 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113122916A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00 |
代理公司: | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 李晓敏 |
地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pvt 法单晶 批量 制备 装置 方法 | ||
1.一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:包括加热器(1)、石墨盖(2)、石墨托(3)、籽晶支撑结构(4)、籽晶(5)、坩埚中段(7)、石墨筒(8)、感应线圈(9)、石墨盘(10)、支撑环(11)、坩埚体(12)和籽晶托(14),所述坩埚体(12)、坩埚中段(7)、石墨盖(2)由下至上依次连接,在坩埚体(12)与坩埚中段(7)连接部安装有石墨盘(10),石墨盘(10)上加工有多个圆形通孔,圆形通孔对应位置安装石墨筒(8),石墨筒(8)位于坩埚中段(7)内部,坩埚中段(7)与石墨盖(2)连接部安装有支撑环(11),支撑环(11)的上部设置有石墨托(3),石墨托(3)上与石墨盘(10)圆形通孔对应位置处加工有圆孔,石墨托(3)的圆孔内通过籽晶支撑结构(4)连接有籽晶托(14),籽晶托(14)的下部连接籽晶(5),感应线圈(9)安装在坩埚中段(7)和坩埚体(12)的外侧,加热器(1)位于装置的上下两侧。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:还包括石墨片(6),石墨托(3)与石墨盖(2)之间安装石墨片(6)。
3.根据权利要求1所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:所述坩埚体(12)的上部加工有阶梯卡环,石墨盘(10)安装在坩埚体(12)的阶梯卡环处。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种PVT法单晶批量制备装置,其特征在于:所述石墨筒(8)的下端连接多孔石墨筒(16),多孔石墨筒(16)插入到坩埚体(12)内的反应原料(15)中。
5.一种PVT法单晶批量制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将连接后的石墨筒(8)与多孔石墨筒(16)放入到坩埚体(12)中,向坩埚体(12)内放入反应原料(15),将石墨盘(10)圆形通孔与石墨筒(8)配合连接使石墨筒(8)与多孔石墨筒(16)位置固定;
步骤二:石墨盘(10)上端连接坩埚中段(7),在坩埚中段(7)上方内侧放入支撑环(11),在支撑环(11)上方放置石墨托(3);
步骤三:将承载籽晶(5)的籽晶托(14)放置到籽晶支撑结构(4)上,籽晶支撑结构(4)固定在石墨托(3)的圆孔处,将石墨片(6)放置在石墨托(3)上侧,盖上石墨盖(2);
步骤四:启动加热器(1)和感应线圈(9),进入长晶阶段;
步骤五:长晶阶段结束后,降温至室温;
步骤六:依次拆解石墨盖(2)、石墨片(6),取出石墨托(3),从石墨托(3)上取下籽晶支撑结构(4),得到单晶体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司,未经哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110448564.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。