[发明专利]一种双色红外探测器制备方法及双色红外探测器

权利要求书

1.一种双色红外探测器制备方法，其特征在于，包括：

在双色红外探测芯片中每一像元的一电极设置连接柱；所述双色红外探测芯片包括多个像元，每一像元包括两个所述电极，所述电极包括连接第一波段材料层的第一电极，以及连接第二波段材料层的第二电极；

在读出电路中设置对应每一所述像元中另一电极的连接柱；

将所述双色红外探测芯片与所述读出电路相互对位并相互键合，使所述第一电极与所述第二电极均通过所述连接柱与所述读出电路电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在双色红外探测芯片中每一像元的一电极设置连接柱包括：

在双色红外探测芯片中每一像元的第一电极设置连接柱；

所述在读出电路中设置对应每一所述像元中另一电极的连接柱包括：

在所述读出电路中设置对应每一所述像元的第二电极的连接柱。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述像元包括位于上层的第一台阶面以及位于下层的第二台阶面，所述第一台阶面与所述第二台阶面之间的高度差不小于所述第一波段材料层的厚度；所述第一台阶面设置有所述第一电极，所述第二台阶面设置有所述第二电极；

对应所述第二电极的连接柱高度与对应所述第一电极的连接柱高度之间的高度差等于所述第一台阶面与所述第二台阶面之间的高度差。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述读出电路中设置对应每一所述像元的第二电极的连接柱包括：

通过厚胶光刻工艺在所述读出电路中设置对应每一第二电极的连接柱。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述在双色红外探测芯片中每一像元的第一电极或第二电极设置连接柱之前，还包括：

在双色红外探测材料基板刻蚀出具有台阶结构的像元，以通过位于上层的第一台阶面暴露第一波段材料层，并通过位于下层的第二台阶面暴露第二波段材料层；所述双色红外探测材料基板包括衬底，位于所述衬底表面的所述第二波段材料层，以及位于所述第二波段材料层背向所述衬底一侧表面的所述第一波段材料层；

在所述第一台阶面设置暴露所述第一波段材料层的第一接触孔，并在所述第二台阶面设置暴露所述第二波段材料层的第二接触孔；

在所述第一接触孔内填充导电材料形成所述第一电极；

在所述第二接触孔内填充导电材料形成所述第二电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二电极与所述第一电极不同时制备。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在双色红外探测材料基板刻蚀出具有台阶结构的像元包括：

在双色红外探测材料基板的第一波段材料层表面涂覆光刻胶，并曝光形成对应各个像元台阶结构的像元图形；

通过曝光后的所述光刻胶刻蚀所述双色红外探测材料基板，形成具有台阶结构的像元；

在所述像元表面生长介质层；

所述在所述第一台阶面设置暴露所述第一波段材料层的第一接触孔，并在所述第二台阶面设置暴露所述第二波段材料层的第二接触孔包括：

刻蚀位于所述第一台阶面的介质层形成暴露所述第一波段材料层的第一接触孔，并刻蚀位于所述第二台阶面的介质层形成暴露所述第二波段材料层的第二接触孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述双色红外探测材料基板还包括位于所述第一波段材料层与所述第二波段材料层之间的隔离层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述连接柱为铟柱。

10.一种双色红外探测器，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项权利要求所述方法所制备而成的双色红外探测器。