[发明专利]显示面板和显示设备有效
| 申请号: | 202110428495.8 | 申请日: | 2021-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN113140610B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 娄振花;周小康;李晓聪;秦齐齐;毛成根 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐维虎 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 设备 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
发光层,所述发光层包括像素界定层和发光单元,所述像素界定层包括像素界定本体和像素开口,所述发光单元位于所述像素开口内;
触控层,所述触控层位于所述发光层的出光侧,所述触控层包括第一导电结构和调整结构,所述第一导电结构在所述发光层的正投影位于所述像素界定本体,所述调整结构用于调整所述发光单元在至少两个方向上的亮度衰减差异;
其中,所述调整结构为多个,在多个所述调整结构中,存在彼此间隔设置的至少两个调整结构;
其中,所述第一导电结构和所述调整结构位于所述触控层中的同一结构层中,每一个所述调整结构在所述发光层的正投影至少部分位于所述像素开口;
其中,所述调整结构用于增加所述发光单元的输出光在经过所述触控层之后的出光亮度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控层还包括:
第一透明材料层,所述第一透明材料层位于所述调整结构和所述第一导电结构靠近所述发光层的一侧;
第二透明材料层,所述第二透明材料层位于所述调整结构和所述第一导电结构远离所述发光层的一侧;
其中,所述第一透明材料层的折射率和所述第二透明材料的折射率不同,且所述调整结构的折射率位于所述第一透明材料层的折射率和所述第二透明材料的折射率之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电结构包括多个导电部分,所述像素开口的每一条边与相邻的所述导电部分在所述发光层的正投影之间的距离相同。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口为多个,多个所述像素开口中的至少一个的形状为非正方形;
其中,每一个非正方形的像素开口与一个由多个导电部分形成的环状结构对应,所述环状结构包括的每一个导电部分与所述非正方形的像素开口的一条边对应,各所述导电部分在所述发光层的正投影与所述像素开口的对应边之间的距离相同。
5.一种显示面板,其特征在于,包括:
发光层,所述发光层包括像素界定层和发光单元,所述像素界定层包括像素界定本体和像素开口,所述发光单元位于所述像素开口内;
触控层,所述触控层位于所述发光层的出光侧,所述触控层包括第一导电结构和调整结构,所述第一导电结构在所述发光层的正投影位于所述像素界定本体,所述调整结构用于调整所述发光单元在至少两个方向上的亮度衰减差异;
其中,所述调整结构为多个,在多个所述调整结构中,存在彼此间隔设置的至少两个调整结构;
其中,所述调整结构位于所述第一导电结构靠近所述发光层的一侧,每一个所述调整结构在所述发光层上的正投影至少部分位于所述像素界定本体;
其中,所述调整结构用于调整所述第一导电结构对所述发光单元的输出光的遮光角度。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述触控层还包括:
第一透明材料层,所述第一透明材料层位于所述调整结构靠近所述发光层的一侧;
第二透明材料层,所述第二透明材料层覆盖所述第一导电结构;
第三透明材料层,所述第三透明材料层位于所述第一透明材料层靠近所述发光层的一侧;
第二导电结构,所述第二导电结构位于所述第一透明材料层和所述第三透明材料层之间,所述第二导电结构在所述发光层上的正投影位于所述像素界定本体。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电结构包括多个导电部分,所述像素开口的每一条边与相邻的所述导电部分在所述发光层的正投影之间的距离相同。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口为多个,多个所述像素开口中的至少一个的形状为非正方形;
其中,每一个非正方形的像素开口与一个由多个导电部分形成的环状结构对应,所述环状结构包括的每一个导电部分与所述非正方形的像素开口的一条边对应,各所述导电部分在所述发光层的正投影与所述像素开口的对应边之间的距离相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





