[发明专利]一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，取溶剂，向溶剂中加入NiCo-PBA后，再同时加入S^2-阴离子源与OH^-阴离子源，混合均匀后，水浴保温一段时间，通过对NiCo-PBA进行蚀刻进而得到含有硫化物和氢氧化物的框架结构NiCoS_x(OH)_y，即得硫化氢氧化物双纳米框架材料；所述溶剂为水或乙醇中一种或两种混合。

2.根据权利要求1所述的一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，所述S^2-阴离子源为述Na₂S、NaHS、K₂S、(NH₄)₂S、或CH₃CSNH₂；OH^-阴离子源为NaOH或KOH。

3.根据权利要求1所述的一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，所述S^2-阴离子源与OH^-阴离子源的质量比为(0.01～100) : 1。

4.根据权利要求1所述的一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，所述NiCo-PBA 和S^2-阴离子源的质量比为(0.01～100) : 1。

5.根据权利要求1所述的一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，所述NiCo-PBA 和OH^-阴离子源的质量比为(0.01～100) : 1。

6.根据权利要求1所述的一种硫化氢氧化物双纳米框架材料的制备方法，其特征在于，所述水浴温度为0～100℃，保温时间为15min-8h。

7.基于权利要求1所述方法制备的硫化氢氧化物双纳米框架材料在析氧反应上的应用。