[发明专利]一种低温CVD法制备高热导率碳材料的方法有效
| 申请号： | 202110412311.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113023726B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 郭领军;钟磊;李贺军;黎云玉 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/205 | 分类号： | C01B32/205;C01B32/05 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 cvd 法制 高热 导率碳 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温CVD法制备高热导率碳材料的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：用无水乙醇超声清洗二氧化硅纤维束，除去杂质，并烘干；
步骤2：采用等温化学气相沉积工艺，将二氧化硅纤维束置于石墨模具中,一并放入等温化学气相沉积炉中；将沉积炉抽真空，然后在惰性气体的保护下由室温升至1000℃～1300℃，通入无水乙醇作为碳氢气源前驱体，炉内压力控制在0.5～20.0KPa，惰性气体流量为50～300mL/min，沉积结束后，关闭无水乙醇前驱体气阀与电源开关，在惰性气体的保护下逐渐降至室温，取沉积后的二氧化硅纤维束；
步骤3：将沉积后的二氧化硅纤维束打磨后，再置于氢氟酸水溶液中进行超声处理，再清洗后烘干；
步骤4：重复步骤2进行第二次等温化学气相沉积，沉积结束得到热解碳块体；
步骤5：将热解碳块体置于石墨化炉中，以2℃/min的升温速率升温至2200℃～3100℃并进行保温，而后关闭电源，自然冷却，整个石墨化过程中一直通入惰性气体，得到高热导率碳材料。
2.根据权利要求1所述低温CVD法制备高热导率碳材料的方法，其特征在于：所述步骤3的清洗采用超声清洗。
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