[发明专利]二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用有效
| 申请号： | 202110402042.8 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113136601B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 宋安刚;朱地;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元;冯翔宇 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C25B11/077 | 分类号： | C25B11/077;C25B11/087;C25B1/04;C25B1/55;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 半导体 薄膜 制备 方法 与其 光电 催化 中的 应用 | ||
1.一种二氧化钛半导体薄膜，其特征是，晶相结构为锐钛矿相结构，(131)晶面的透射电子显微镜高分辨率图谱中，相邻(101)晶面之间的距离均为
2.如权利要求1所述的二氧化钛半导体薄膜，其特征是，光电流密度为1.70～1.80mA/cm2。
3.如权利要求1所述的二氧化钛半导体薄膜的制备方法，其特征是，将金属钛反应溅射为沉积态二氧化钛薄膜，将沉积态二氧化钛薄膜退火处理为锐钛矿二氧化钛薄膜；所述反应溅射基于远源等离子体溅射进行,获得的锐钛矿二氧化钛薄膜即为目标产物二氧化钛半导体薄膜；
反应溅射过程中采用氧气作为反应气体，氧气的流速为10～15sccm；
退火温度为300～500℃。
4.如权利要求3所述的二氧化钛半导体薄膜的制备方法，其特征是，反应溅射中，以氩气为等离子体气源，通入氧气前，通入氩气至压强为3～5×10-3mbar。
5.如权利要求3所述的二氧化钛半导体薄膜的制备方法，其特征是，反应溅射过程中，溅射速度为20～30nm/min，溅射时间为15～25min。
6.如权利要求3所述的二氧化钛半导体薄膜的制备方法，其特征是，反应溅射过程中，溅射温度为20～50℃。
7.一种权利要求1或2所述的二氧化钛半导体薄膜或权利要求3～6任一所述的制备方法获得的二氧化钛半导体薄膜在光电催化中的应用。
8.一种光电催化反应器，其特征是，包括光阳极，所述光阳极的活性材料为权利要求1或2所述的二氧化钛半导体薄膜或权利要求3～6任一所述的制备方法获得的二氧化钛半导体薄膜。
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