[发明专利]一种引线框架的镀层工艺

说明书

本发明涉及引线框架电镀技术领域，尤其涉及一种引线框架的镀层工艺，包括以下步骤：S1、表面预处理：引线框架浸入电解溶液中电解20～30s，之后用自来水清洗后吹干，再放入氨基磺酸活化溶液中浸泡10～20s，再用自来水清洗，接着用去离子水清洗后吹干；S2、镀铜处理：将表面预处理过的引线框架放入镀铜液中电沉积10～20s，之后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区浸入铜镀液中电沉积10～15s局部镀铜，接着用去离子水清洗后吹干。本发明不仅能够提高该引线框架在镀层后的抗氧化能力，而且还能降低外表层脱落现象发生的概率。

技术领域

本发明涉及引线框架电镀技术领域，尤其涉及一种引线框架的镀层工艺。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，是封装二极管、三极管、电位器等电子元器件的重要分立器件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，为了保证芯片、焊丝和引线框架有良好的焊接性，需要对引线框架的表面进行电镀处理。

目前常用的电镀的方式有全浸镀、选择浸镀、刷镀、局部镀等，目前采用传统的单一或两种镀层模式已无法满足市场需求，而且在现有技术的基础对引线框架进行镀层之后，容易出现表层被剥落的现象，而且还容易在其表面出现较多的氧化锈迹。因此，我们提出了一种引线框架的镀层工艺用于解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种引线框架的镀层工艺。

一种引线框架的镀层工艺，包括以下步骤：

S1、表面预处理：引线框架浸入电解溶液中电解20～30s，之后用自来水清洗后吹干，再放入氨基磺酸活化溶液中浸泡10～20s，再用自来水清洗，接着用去离子水清洗后吹干；

S2、镀铜处理：将表面预处理过的引线框架放入镀铜液中电沉积10～20s，之后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区浸入铜镀液中电沉积10～15s局部镀铜，接着用去离子水清洗后吹干；

S3、镀镍处理：将局部镀铜处理后的引线框架放入镀镍液中电沉积10～20s，之后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区浸入镍镀液中电沉积10～15s局部镀镍，接着用去离子水清洗后吹干；

S4、镀镍钯合金处理：然后将局部镀镍处理后的引线框架的功能区浸入镍钯合金镀液中电沉积5～15s局部镀镍钯合金，再用去离子水清洗后吹干；

S5、镀银处理：将引线框架放入镀银液中电沉积10～20s，之后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区放入银镀液中电沉积5～15s局部镀银，接着用去离子水清洗后吹干；

S6、过银保护处理：取局部镀银处理后的引线框架放入浓度为7mL/L的银保护药水中浸泡5～20s，之后用去离子水清洗后吹干，即完成引线框架的镀层工艺。

优选的，所述镀铜液中含有焦磷酸铜80～110g/L，焦磷酸钾15～20g/L和酒石酸10～15g/L，电流密度为5～15A/dm²，铜镀液的温度为50℃～60℃。

优选的，所述镀镍液中含有氨基磺酸镍50～70g/L、氯化镍5～10g/L、硼氢化钠35～45g/L和柠檬酸三钠45～55g/L，电流密度为5～10A/dm²，镀镍液温度为50℃～60℃。

优选的，所述镍钯合金镀液中含有硫酸镍30～50g/L、二氯化钯30～40g/L、柠檬酸三钠35～65g/L和硼酸30～40g/L，电流密度为5～15A/dm²，镍铜合金镀液温度为50℃～60℃。

优选的，所述镀银液中含有甲基磺酸银30～50g/L、柠檬酸钾10～30g/L、甘氨酸15～25g/L、硼砂5～10g/L、酒石酸锑钾2～5g/L、改性聚甲基丙烯酸0.3～0.5g/L和改性附着剂0.5～1.5g/L，电流密度为3～8A/dm²，镀银溶液温度为50℃～60℃。