[发明专利]敌百虫电致化学发光分子印迹传感器及制备方法、应用

权利要求书

1.敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备分子印迹传感器：

将金电极打磨、抛光、清洗；

取邻苯二胺溶液、敌百虫溶液，配成聚膜底液；

将清洗完毕的金电极放入聚膜底液中，通过循环伏安法电聚合，得到电聚合物；

电聚合物用水淋洗，以NaOH与无水乙醇的混合液作为洗脱液，洗脱3～10分钟，用水淋洗电极以彻底清除残留的敌百虫分子，即得到对敌百虫具有特异识别性能力的分子印迹传感器；

制备化学发光底液：

以鲁米诺溶液、PBS溶液和3％过氧化氢溶液混匀配制为发光底液。

2.根据权利要求1所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，将金电极使用α-氧化铝在麂皮上打磨抛光至表面呈镜面，将金电极放入水中超声振荡3～5分钟清洗表面。

3.根据权利要求1所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，取3～10mL 1.0×10^-3mol/L邻苯二胺溶液、1～4.0mL 1.0×10^-3mol/L敌百虫溶液，配成聚膜底液。

4.根据权利要求1所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，电聚合过程中：电位范围0.8～0V，扫描速率0.05V/s，扫描段数15～30段。

5.根据权利要求1所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述的洗脱液浓度为0.10～0.30mol/L，其中，NaOH与无水乙醇的体积比为4:5，洗脱液时间为5分钟。

6.根据权利要求1所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，化学发光底液中，采用体积比为20：3的1.0×10^-4mol/L鲁米诺溶液与3％过氧化氢溶液。

7.一种如权利要求1～6任一所述的方法制备得到的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器。

8.一种如权利要求7所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器在检测敌百虫中的应用。

9.根据权利要求8所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器在检测敌百虫中的应用，其特征在于，包括：

将分子印迹传感器重吸附不同浓度敌百虫后，浸入化学发光底液中，使用循环伏安法，测量发光强度；

待出现连续三个发光峰平稳时即可停止测定，取两平稳发光峰相间的发光峰峰值为发光值。

10.根据权利要求8所述的敌百虫电致化学发光分子印迹传感器在检测敌百虫中的应用，其特征在于，电位范围-0.2～0.6V，扫描速度100mV/s，扫描方向正向，静止时间3～5秒，光电倍增管高压500V放大倍数2倍。