[发明专利]用于半导体器件的信号线结构以及布线方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的信号线结构，包括一个或多个信号线组，每个信号线组包括n个信号线，其中n为大于1的整数，其中每个信号线组包括一个或多个扭转结构，所述扭转结构被构造为使得在所述扭转结构处，所述信号线组的n个信号线中的每个转移到其余n-1个信号线之一的位置。

2.根据权利要求1所述的信号线结构，其中每个信号线组的第i个信号线连接到第k个信号线的位置，其中i为整数且1≤i≤n，其中：

当i＝1时，k＝n；

当1＜i≤n时，k＝i-1。

3.根据权利要求1所述的信号线结构，其中n＝2，并且所述信号线被配置为传输二进制数字电压信号。

4.根据权利要求1所述的信号线结构，其中所述信号线结构包括多个信号线组，所述多个信号线组中的每个都具有相同数目的扭转结构；和/或

其中所述扭转结构在沿着信号线的走向的方向上位于不同位置处；和/或

每个信号线组的至少两个扭转结构的信号线的连接方式彼此不同。

5.根据权利要求1所述的信号线结构，其中所述一个或多个信号线组中的第一信号线组的n个信号线位于第一平面，其中所述n个信号线中的要互换位置的两个信号线在扭转结构处具有第一对端子和第二对端子，第一对端子和第二对端子分别处于所述要互换位置的两个信号线中的不同信号线上，并且所述第一信号线组的扭转结构包括：

第一对通孔接触部，其被配置为将第一对端子引导至第二平面，其中第二平面不同于第一平面；

第一导线，其被配置为将第二平面处的第一对端子彼此电连接；以及

第二导线，其被配置为将第二对端子彼此电连接。

6.根据权利要求5所述的信号线结构，其中：

第一信号线组位于第一金属层处，并且第二导线位于不同于第一金属层的第二金属层处；或者

第一信号线组位于金属层，并且第二导线是形成在硅上的导电区；或者

第一信号线组位于金属层，并且第二导线是由与硅基底上形成的晶体管的栅叠层相同的金属叠层形成。

7.根据权利要求6所述的信号线结构，其中所述导电区为下列各项之一：

形成在硅上的经掺杂的p型或n型导电区；以及

形成在硅上的金属硅化物导电区。

8.根据权利要求1至6之一所述的信号线结构，还包括一个或多个哑元线，所述哑元线布置在处于最边缘的信号线的外侧。

9.根据权利要求1至6之一所述的信号线结构，其中每个信号线组包括奇数个或偶数个扭转结构，其中在奇数个扭转结构的情况下，改变信号线的连接位置，使得各信号线被连接到正确的线路。

10.根据权利要求1至6之一所述的信号线结构，其中所述信号线结构包括多个信号线组，其中所述扭转结构在沿着信号线的走向的方向上位于不同位置处并且将所有信号线组划分成多个区段，其中每个信号线组的相邻两个扭转结构被配置为相隔至少一个区段。

11.一种用于半导体器件的信号线的布线方法，包括下列步骤：

将信号线分成多个信号线组，其中每个信号线组包括n个信号线，其中n为大于1的整数；

每个信号线组划分成多个区段；以及

在相邻的两个区段之间形成扭转结构，其中所述扭转结构被构造为使得在所述扭转结构处，所述信号线组的n个信号线中的每个连接到其余n-1个信号线之一的位置。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述多个信号线组中的第一信号线组的n个信号线位于第一平面，其中所述n个信号线中的要互换位置的两个信号线在扭转结构处具有第一对端子和第二对端子，第一对端子和第二对端子分别处于所述要互换位置的两个信号线中的不同信号线上，其中在相邻的两个区段之间形成扭转结构包括下列步骤:

形成第一对通孔接触部以便将第一对端子引导至第二平面，其中第二平面不同于第一平面；

形成第一导线以便将第二平面处的第一对端子彼此电连接；以及

形成第二导线以便为将第二对端子彼此电连接。