[发明专利]一种电可编程熔丝单元及电可编程熔丝阵列在审

专利信息
申请号: 202110364973.3 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113078160A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 黎旺;晏颖;金建明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/112 分类号: H01L27/112
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 可编程 单元 阵列
【权利要求书】:

1.一种电可编程熔丝单元,其特征在于,包括:

熔丝和二极管,所述熔丝的一端形成所述电可编程熔丝单元的第一端,所述二极管的P极接于所述熔丝的另一端,所述二极管的N极形成所述电可编程熔丝单元的第二端。

2.如权利要求1所述的电可编程熔丝单元,其特征在于,所述二极管为单向二极管。

3.一种电可编程熔丝阵列,其特征在于,包括:

n×n个如权利要求1或2中所述的电可编程熔丝单元、n条字线、n条位线、n个字线控制管和n个编程控制管;

第j列的电可编程熔丝单元的第一端均接于第j个编程控制管的漏极和第j条位线,所述第j个编程控制管的栅极接收一编程信号,所述第j个编程控制管的源极接于编程电压;

第i行的电可编程熔丝单元的第二端均接于第i个字线控制管的漏极,所述第i个字线控制管的栅极接于第i条字线,所述第i个字线控制管的源极接于地;

其中,1≤i≤n,1≤j≤n,且i、j和n均为正整数。

4.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述字线控制管为NMOS管。

5.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述编程控制管为PMOS管。

6.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述电可编程熔丝阵列的操作包括编程操作和读取操作。

7.如权利要求6所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述编程操作时,

所述编程信号控制所述第j个编程控制管导通,以使所述第j列的电可编程熔丝单元均接于所述编程电压;

通过所述第i条字线控制所述第i个字线控制管导通,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元接于地。

8.如权利要求6所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述读取操作时,

所述编程信号控制所述编程控制管均关闭;

通过所述第i条字线控制所述第i个字线控制管导通,以使所述第i行的电可编程熔丝单元均接于地;

通过所述第j条位线向所述第i行的电可编程熔丝单元提供读取电压,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生电流,并通过所述第j条位线读取所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生的电流或电压的值。

9.一种存储单元,其特征在于,包括:

如权利要求3-8中任一所述的电可编程熔丝阵列、编程模块、读取模块和字线译码器;

所述字线译码器的第i个输出端通过第i条字线接于第i个字线控制管的栅极;

所述读取模块的第j个输出端通过第j条字线接于第j个编程控制管的漏极和第j列的电可编程熔丝单元;

所述编程模块用于向所述编程控制管的栅极输出一编程信号。

10.如权利要求9所述的存储单元,其特征在于,所述存储单元的操作包括写入操作和读取操作。

11.如权利要求10所述的存储单元,其特征在于,所述写入操作时,

所述编程模块用于产生编程信号,以控制第j个编程控制管导通,以使第j列的电可编程熔丝单元均接于编程电压;

所述字线译码器通过第i条字线控制第i个字线控制管导通,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元接于地。

12.如权利要求10所述的存储单元,其特征在于,所述读取操作时,

所述编程模块控制所述编程控制管均关闭;

所述字线译码器通过第i条字线控制第i个字线控制管导通,以使第i行的电可编程熔丝单元均接于地;

所述读取模块通过第j条位线向第i行第j列的电可编程熔丝单元提供读取电压,以使所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生电流,并通过所述第j条位线读取所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生的电流或电压的值。

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