[发明专利]一种电可编程熔丝单元及电可编程熔丝阵列在审
| 申请号: | 202110364973.3 | 申请日: | 2021-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN113078160A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 黎旺;晏颖;金建明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 可编程 单元 阵列 | ||
1.一种电可编程熔丝单元,其特征在于,包括:
熔丝和二极管,所述熔丝的一端形成所述电可编程熔丝单元的第一端,所述二极管的P极接于所述熔丝的另一端,所述二极管的N极形成所述电可编程熔丝单元的第二端。
2.如权利要求1所述的电可编程熔丝单元,其特征在于,所述二极管为单向二极管。
3.一种电可编程熔丝阵列,其特征在于,包括:
n×n个如权利要求1或2中所述的电可编程熔丝单元、n条字线、n条位线、n个字线控制管和n个编程控制管;
第j列的电可编程熔丝单元的第一端均接于第j个编程控制管的漏极和第j条位线,所述第j个编程控制管的栅极接收一编程信号,所述第j个编程控制管的源极接于编程电压;
第i行的电可编程熔丝单元的第二端均接于第i个字线控制管的漏极,所述第i个字线控制管的栅极接于第i条字线,所述第i个字线控制管的源极接于地;
其中,1≤i≤n,1≤j≤n,且i、j和n均为正整数。
4.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述字线控制管为NMOS管。
5.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述编程控制管为PMOS管。
6.如权利要求3所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述电可编程熔丝阵列的操作包括编程操作和读取操作。
7.如权利要求6所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述编程操作时,
所述编程信号控制所述第j个编程控制管导通,以使所述第j列的电可编程熔丝单元均接于所述编程电压;
通过所述第i条字线控制所述第i个字线控制管导通,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元接于地。
8.如权利要求6所述的电可编程熔丝阵列,其特征在于,所述读取操作时,
所述编程信号控制所述编程控制管均关闭;
通过所述第i条字线控制所述第i个字线控制管导通,以使所述第i行的电可编程熔丝单元均接于地;
通过所述第j条位线向所述第i行的电可编程熔丝单元提供读取电压,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生电流,并通过所述第j条位线读取所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生的电流或电压的值。
9.一种存储单元,其特征在于,包括:
如权利要求3-8中任一所述的电可编程熔丝阵列、编程模块、读取模块和字线译码器;
所述字线译码器的第i个输出端通过第i条字线接于第i个字线控制管的栅极;
所述读取模块的第j个输出端通过第j条字线接于第j个编程控制管的漏极和第j列的电可编程熔丝单元;
所述编程模块用于向所述编程控制管的栅极输出一编程信号。
10.如权利要求9所述的存储单元,其特征在于,所述存储单元的操作包括写入操作和读取操作。
11.如权利要求10所述的存储单元,其特征在于,所述写入操作时,
所述编程模块用于产生编程信号,以控制第j个编程控制管导通,以使第j列的电可编程熔丝单元均接于编程电压;
所述字线译码器通过第i条字线控制第i个字线控制管导通,以使第i行第j列的电可编程熔丝单元接于地。
12.如权利要求10所述的存储单元,其特征在于,所述读取操作时,
所述编程模块控制所述编程控制管均关闭;
所述字线译码器通过第i条字线控制第i个字线控制管导通,以使第i行的电可编程熔丝单元均接于地;
所述读取模块通过第j条位线向第i行第j列的电可编程熔丝单元提供读取电压,以使所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生电流,并通过所述第j条位线读取所述第i行第j列的电可编程熔丝单元内产生的电流或电压的值。
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