[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110347242.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113540220A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李家庆;蔡昕翰;邱诗航;汤宗达;吴仲强;锺鸿钦;李显铭;李达元;陈建豪;陈建豪;游国丰;陈嘉伟;许智育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
移除一虚置栅极与一虚置栅极介电层以形成一凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间；
沉积一栅极介电层于该凹陷中；
沉积一阻挡层于该栅极介电层上；
沉积一第一功函数层于该阻挡层上；
形成一第一抗反应层于该第一功函数层上，该第一抗反应层减少该第一功函数层的氧化，且该第一抗反应层与该第一功函数层包含的材料不同；以及
沉积一填充材料于该第一抗反应层上。
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