[发明专利]一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底同侧的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及存储电容；

所述存储电容包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘层，且所述第二电极设置于所述第一电极远离所述衬底的一侧；所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一栅电极同层设置；所述第二电极与所述第二薄膜晶体管的第二栅电极同层设置；

所述绝缘层在所述衬底上的垂直投影与所述第二薄膜晶体管在所述衬底上的垂直投影不交叠。

2.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管还包括设置于所述第一栅电极邻近所述衬底一侧的第一有源层，以及设置于所述第一有源层和所述第一栅电极之间的第一栅绝缘层；

所述第二薄膜晶体管还包括设置于所述第二栅电极邻近所述衬底一侧的第二有源层，以及设置于所述第二有源层和所述第二栅电极之间的第二栅绝缘层；

所述第二有源层设置于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述显示面板，其特征在于，

所述第二栅绝缘层在所述衬底上的垂直投影与所述第一薄膜晶体管在所述衬底上的垂直投影不交叠。

4.根据权利要求2所述显示面板，其特征在于，

所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层的材料不同；

所述第二栅绝缘层的材料与所述绝缘层的材料不同。

5.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，

所述第一栅电极复用为所述第一电极。

6.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的同侧制作第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及存储电容；其中，所述存储电容包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘层，且所述第二电极设置于所述第一电极远离所述衬底的一侧；所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一栅电极同层设置；所述第二电极与所述第二薄膜晶体管的第二栅电极同层设置；所述绝缘层在所述衬底上的垂直投影与所述第二薄膜晶体管在所述衬底上的垂直投影不交叠。

8.根据权利要求7所述显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的同侧制作第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及存储电容，包括：

在所述衬底上形成第一薄膜晶体管的第一有源层；

在所述第一有源层远离所述衬底的一侧形成第一薄膜晶体管的第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二薄膜晶体管的第二有源层；

在所述第二有源层远离所述衬底的一侧形成第二薄膜晶体管的第二栅绝缘层；

在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一薄膜晶体管的第一栅电极和存储电容的第一电极；

在所述第一栅电极远离所述衬底的一侧形成绝缘层，其中，所述绝缘层在所述衬底上的垂直投影与所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影不交叠；

在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成第二薄膜晶体管的第二栅电极和所述存储电容的第二电极。

9.根据权利要求8所述显示面板的制作方法，其特征在于，

所述在所述第二有源层远离所述衬底的一侧形成第二栅绝缘层，包括：

在所述第二有源层远离所述衬底的一侧形成栅极材料层；

图案化所述栅极材料层，形成所述第二栅电极绝缘层，其中，所述第二栅绝缘层在所述衬底上的垂直投影与所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影不交叠；

在所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一栅电极和存储电容的第一电极，包括：

所述第一栅电极复用为所述第一电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6任一所述的显示面板。