[发明专利]一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂及其制备方法

权利要求书

1.一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤1：将NaS₂·9H₂O和C₄H₆CdO₄·2H₂O按照摩尔比(1～1.1):1分别溶于去离子水中得到NaS₂溶液和醋酸镉溶液，将上述NaS₂溶液于搅拌状态下逐滴加入到醋酸镉溶液中，静置、抽滤后得到CdS凝胶粒子；

步骤2：将步骤1中得到的CdS凝胶粒子经超声处理后置于高压反应釜中自室温升温至160～200℃，保温4～6h，取出产物清洗、冷冻干燥后得到橙色粉末状CdS纳米颗粒；

步骤3：将步骤2中得到的CdS纳米颗粒与CdS纳米颗粒质量百分比1％～5％的PdCl₂于超声辅助下均匀分散及溶解至去离子水中，脱气处理后于搅拌状态下用300W氙灯辐照0.5～1h；取出反应产物经离心、干燥处理后得到黄绿色粉末状单原子Pd修饰CdS纳米催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的静置时间为24h。

3.根据权利要求1所述的一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的超声处理是采用超声分散于去离子水中进行处理。

4.根据权利要求3所述的一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的清洗是采用去离子水清洗3～5次。

5.根据权利要求1所述的一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的脱气处理时间为5～10min。

6.根据权利要求5所述的一种单原子Pd修饰CdS纳米催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的干燥温度为60～80℃。

7.一种根据权利要求1-6任一项所述制备方法制得的单原子Pd修饰CdS纳米催化剂，其特征在于：该催化剂为单原子Pd沉积在CdS纳米颗粒表面的纳米结构。