[发明专利]制备单晶硅的坩埚组件以及制备炉

权利要求书

1.一种制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，包括：

内锅(10)，所述内锅(10)限定出盛放制备原材料的容纳空间，所述内锅(10)的底壁与所述内锅(10)的侧壁之间限定出R部(a)；

导热层(20)，所述导热层(20)设置在所述R部(a)处，以提高所述R部(a)的导热效率；其中

所述内锅(10)与所述导热层(20)的材料不同，且所述导热层(20)的导热性能高于所述内锅(10)的导热性能；

所述内锅(10)包括：致密层(11)和气泡层(12)，所述导热层(20)设置在所述致密层(11)与所述气泡层(12)之间；或所述导热层(20)设置在所述气泡层(12)外；或在所述R部(a)范围内所述致密层(11)与所述气泡层(12)贴合，在所述R部(a)范围外，所述致密层(11)与所述气泡层(12)贴合。

2.根据权利要求1所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述气泡层(12)的厚度大于或等于所述导热层(20)的厚度。

3.根据权利要求1所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述R部(a)的弧度为r1，所述导热层(20)的弧度为r2，且满足r2＜r1。

4.根据权利要求1所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述R部(a)的最高点的高度为L1，所述导热层(20)的最高点的高度为L2，且满足L1-5mm＜L2≤L1；

所述R部(a)的最低点的高度为L3，所述导热层(20)的最低点的高度为L4，且满足L3-5mm＜L4≤L3。

5.根据权利要求1所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述致密层(11)的内表面与所述导热层(20)朝向所述致密层(11)的一侧的表面的间距恒定。

6.根据权利要求5所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述导热层(20)的外表面的上端与所述内表面的上端之间的距离为L5、所述导热层(20)的外表面的下端与所述内表面的下端之间的距离为L6，所述导热层(20)的外表面的中间区域与导热层(20)的内表面的中间区域之间的距离为L7，且满足L5≤L6＜L7或L6≤L5＜L7。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的坩埚组件(100)，其特征在于，所述坩埚组件(100)还包括外锅(30)，所述外锅(30)套设在所述内锅(10)外，所述内锅(10)构造为石英件，所述导热层(20)的材料由导热性能优于石英的钼、钨、石墨等材料中的一种或多种组成，所述外锅(30)构造为石墨件。

8.根据权利要求1所述的制备单晶硅的坩埚组件(100)，其特征在于，所述导热层(20 )包括：在远离所述致密层(11)的方向上依次叠置的多层子导热层，每个所述子导热层的材料不同且在朝向所述致密层(11)的方向上，所述子导热层的导热性能逐渐增强。

9.一种制备炉，其特征在于，包括：权利要求1-8中任一项所述的坩埚组件(100)。