[发明专利]一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路在审
| 申请号： | 202110315189.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113114162A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 庞东伟;吴士伟;桂勇锋;王小虎;韦玲玲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 何梓秋 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cmos 宽带 多功能 芯片 衰减器 电路 | ||
1.一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：包括依次连接的源随器电路、无源衰减器电路、共栅放大器电路，所述无源衰减器电路包括依次连接的多个基本衰减单元，依次分别为0.5dB基本衰减单元、4dB基本衰减单元、2dB基本衰减单元、8dB基本衰减单元、1dB基本衰减单元、16dB基本衰减单元，所述0.5dB基本衰减单元、4dB基本衰减单元、2dB基本衰减单元、1dB基本衰减单元基于带MOS开关管的T型电阻网络实现，所述8dB基本衰减单元、16dB基本衰减单元基于带MOS开关管的PI型电阻网络实现，所述0.5dB基本衰减单元与所述源随器电路连接，所述16dB基本衰减单元与所述共栅放大器电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：所述源随器电路与无源衰减器电路之间、所述无源衰减器电路与共栅放大器电路之间均设置有隔直电容，所述源随器电路与无源衰减器电路之间、所述无源衰减器电路与共栅放大器电路之间均通过所述隔直电容连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：所述源随器电路包括MOS管M1、MOS管M2，输入信号输入MOS管M1的栅极，电源VDD端通过偏置电阻RB1与MOS管M1的栅极连接，偏置电压端VB1与MOS管M2的栅极连接，MOS管M1的源极和MOS管M2的漏极连接为输出节点，再与隔直电容连接。
4.根据权利要求3所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：所述MOS管M1的跨导gm1在18～22ms之间，所述源随器电路输出阻抗在6GHz～14GHz内保持相对恒定。
5.根据权利要求1所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：在所述8dB基本衰减单元、16dB基本衰减单元的带MOS开关管的PI型电阻网络中，通路分别并联电容C2、C3，用于降低寄生调相。
6.根据权利要求5所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：电容C2的容量在135～145f之间,电容C3的容量在25～35f之间。
7.根据权利要求1所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：所述共栅放大器包括MOS管M17、MOS管M18，偏置电压端VB2对MOS管M18的栅极偏置，电源VDD端通过偏置电阻RB2与MOS管M17的栅极连接，信号从MOS管M17的漏极经隔直电容输出。
8.根据权利要求7所述的一种用于CMOS宽带幅相多功能芯片的衰减器电路，其特征在于：所述MOS管M18的跨导gm18在18～22ms之间，所述共栅放大器电路输入阻抗在6GHz～14GHz内保持相对恒定。
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