[发明专利]一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路

说明书

本发明公开了一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路，包括主控MCU和模拟PWM芯片，所述主控MCU通过IO1引脚连接有第一电阻R1，所述第一电阻R1的一端连接有MOS管，所述主控MCU的IO2引脚连接有第二电阻R2，所述第一电阻R1和第二电阻R2的一端分别与MOS管的栅极连接；所述MOS管的漏极连接有第三电阻R3，所述第三电阻R3的一端连接有正5V电源，该正5V电源对主控MCU供电，所述MOS管的漏极连接有第四电阻R4，所述第四电阻R4的一端和模拟PWM芯片的第4引脚互相连接；通过降低互锁电路导通的输出电压，且该输出电压小于0.05v，通过减小压降使电路产生稳定的PWM控制信号，使模拟PWM电路在正常工作状态下能达到最大占空比输出，提升互锁电路应用场合的可扩展性。

技术领域

本发明涉及互锁电路领域，特别是涉及一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路。

背景技术

互锁电路是指在几个回路之间，利用某一回路的辅助触点，去控制对方的线圈回路，进行状态保持或功能限制。

互锁电路的一般对象往往是对其他回路的控制。即在电路控制中，当施加第二路输出高电平信号时，第一路输出低电平信号，控制电路工作输出有效状态改变；当施加的两路信号输出状态是相同的情况无论两路信号处于低电平或者高电平状态下电路控制输出的状态都会处于无效状态，从而让控制电路实现互锁的功能。

现有电路通过MCU的两个IO分别去控制两个三极管，其中一个三极管是PNP型一个是NPN型，虽然实现了上电锁定模拟PWM电路输出，但由于两个三极管同时导通会在PNP管上产生0.7v左右的导通压降，这样会导致模拟PWM电路的最大占空比的极限值受到限制，进一步导致互锁电路的应用场合受限，为此，提出一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路，通过降低互锁电路导通的下拉低电平的输出电压，且该输出电压小于0.05v，通过减小压降使电路产生稳定的PWM控制信号，进一步地，使模拟PWM电路在正常工作状态下能达到最大占空比输出，提升互锁电路应用场合的可扩展性。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种利用单片机IO口输出特性实现的互锁电路，包括主控MCU和模拟PWM芯片，所述主控MCU通过IO1引脚连接有第一电阻R1，所述第一电阻R1的一端连接有MOS管，所述主控MCU的IO2引脚连接有第二电阻R2，所述第一电阻R1和第二电阻R2的一端分别与MOS管的栅极连接；

所述MOS管的漏极连接有第三电阻R3，所述第三电阻R3的一端连接有正5V电源，该正5V电源对主控MCU供电，所述MOS管的漏极连接有第四电阻R4，所述第四电阻R4的一端和模拟PWM芯片的第4引脚互相连接；

所述模拟PWM芯片的第8引脚连接有VCC电源，所述模拟PWM芯片的第8引脚连接有电容C，所述电容C的另一端接地，所述模拟PWM芯片的第9引脚连接有三极管，所述模拟PWM芯片的第10引脚和三极管的基极互相连接，所述模拟PWM芯片的第10引脚连接有二极管，所述二极管的阴极和三极管的发射极互相连接，所述三极管的基极连接有第五电阻R5。

作为本发明的一种优选技术方案，所述第一电阻R1为保护电阻，用于减缓MOS管的开关速率。

作为本发明的一种优选技术方案，所述第二电阻R2为泄放电阻，用于防止MOS管被击穿，同时为MOS管提供偏置电压。

作为本发明的一种优选技术方案，所述模拟PWM芯片的型号为WL0302。

作为本发明的一种优选技术方案，所述主控MCU、第一电阻R1和第二电阻R2形成通路，所述第一电阻R1和第二电阻R2的阻值分别为1KΩ和100KΩ。

作为本发明的一种优选技术方案，所述主控MCU的IO2引脚和MOS管的源极互相连接。