[发明专利]刷新控制电路及存储器有效
| 申请号: | 202110277822.4 | 申请日: | 2021-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN112767983B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
| 发明(设计)人: | 曹先雷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/408 |
| 代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刷新 控制电路 存储器 | ||
本发明实施例提供一种刷新控制电路及存储器,刷新控制电路包括:随机抓取模块,用于顺序接收n个单行地址,以及随机输出所述n个单行地址中的m个所述单行地址,其中nm1;行锤地址生成模块,连接所述随机抓取模块的输出端,用于分析m个所述单行地址中出现频次最多的所述单行地址,以及用于输出出现频次最多的所述单行地址对应的行锤地址;信号选择器,用于接收常规刷新地址和所述行锤地址,并输出地址信息,所述地址信息为所述行锤地址和所述常规刷新地址,或者,所述地址信息为所述行锤地址,所述地址信息作为刷新命令对应的刷新对象。本发明实施例有利于提高刷新效率以及保证数据存储的准确性。
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种刷新控制电路及存储器。
背景技术
随着半导体存储装置的密度不断增加,存储器单元呈现物理体积缩小、存储电荷减少以及抗噪声容限降低的特点,存储器单元之间的电磁相互作用对存储器单元的影响增大,存储器单元数据丢失的可能性增加。
具体地,当存储器单元中某一单行地址对应的字线被频繁开启时,可能引发相邻地址(一般称为“行锤地址”)的电容器的漏电速率高于自然漏电速率,进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失,这种情况一般称之为“行锤效应”;为抑制行锤效应,需要对行锤地址进行及时的刷新命令,以重新补充电荷,避免存储数据发生错误。
发明内容
本发明实施例提供一种刷新控制电路及存储器,有利于提高刷新效率。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种刷新控制电路,包括:随机抓取模块,用于顺序接收n个单行地址,以及随机输出所述n个单行地址中的m个所述单行地址,其中nm1;行锤地址生成模块,连接所述随机抓取模块的输出端,用于分析m个所述单行地址中出现频次最多的所述单行地址,以及用于输出出现频次最多的所述单行地址对应的行锤地址;信号选择器,用于接收常规刷新地址和所述行锤地址,并输出地址信息,所述地址信息为所述行锤地址和所述常规刷新地址,或者,所述地址信息为所述行锤地址,所述地址信息作为刷新命令对应的刷新对象。
另外,所述随机抓取模块包括:控制单元,用于在m个随机时间点生成并输出触发信号;行地址锁存单元,用于逐一接收所述n个单行地址中每一个所述单行地址,以及逐一接收所述控制单元输出的每一所述触发信号,以输出m个所述触发信号对应的m个所述单行地址;若接收到所述触发信号,则输出所述触发信号到来之前最后接收到的所述单行地址。
另外,所述控制单元包括:随机数生成单元,用于生成并输出随机正整数;第一计数单元,用于逐一接收n个行激活命令,并对接收到的所述行激活命令的个数进行计数,以输出第一计数值;其中,每一所述行激活命令对应一所述单行地址,所述n个行激活命令对应所述n个单行地址;数值比较单元,与所述行地址锁存单元的输入端连接,用于接收所述随机正整数和所述第一计数值,若所述第一计数值等于所述随机正整数,则输出所述触发信号,并重置所述随机数生成单元和所述第一计数单元,以使所述随机数生成单元生成并输出新的所述随机正整数,以及使所述第一计数单元从零开始重新进行计数。
另外,所述随机正整数小于等于20。
另外,所述行锤地址生成模块包括:频次比较单元,与所述随机抓取模块的输出端连接,至少用于分析并输出m个所述单行地址中出现频次最多的所述单行地址;行锤地址生成单元,用于接收出现频次最多的所述单行地址,以及输出出现频次最多的所述单行地址对应的行锤地址。
另外,所述频次比较单元用于分析并输出m个所述单行地址中出现频次排名前i的单行地址,其中i1。
另外,所述单行地址为x,x为正整数;所述单行地址对应的行锤地址包括:第一单行地址,所述第一单行地址为x-1;第二单行地址,所述第二单行地址为x+1。
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