[发明专利]一种基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构

权利要求书

1.一种基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，其特征在于：包括动触头、静触头、4对N-S极磁铁、屏蔽筒。动静触头相对设置，成为放电结构，四对N-S磁极分别设置在放电结构的两侧，同时四对N-S磁极通过骨架连接在屏蔽罩内侧，屏蔽罩能够将永磁体覆盖。

2.根据权利要求1所述的基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，其特征在于：所述的4对永磁体每个N-S磁极相邻放置并通过骨架固定，4对相邻放置使相邻的N-S磁极角度为45度。

3.根据权利要求1所述的基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，其特征在于，所述静触头的两端分别为静触头上端盖连接段和静触头放电端，所述动触头的两端分别为动触头下端盖连接段和动触头放电端，4对磁极的位置不超过动触头放电端和静触头放电端。

4.根据权利要求1所述的基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，其特征在于，所述的屏蔽罩采用铜材料制成。

5.一种基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，其特征在于：灭弧结构采用如权利要求1-4中任意一项所述的基于径向多极取向磁场调控的无极性灭弧结构。