[发明专利]快速氧化spiro-OMeTAD的方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种湿度辅助快速高效氧化spiro-OMeTAD的方法，其特征在于，包括以下步骤：

选择涂有spiro-OMeTAD的光伏器件；将所述器件置于湿度为25％的空气手套箱中，氧化1h，氧化的温度为20℃。

2.一种使用权利要求1所述的湿度辅助快速高效氧化spiro-OMeTAD的方法制备的钙钛矿太阳能电池。

3.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池，所述太阳能电池的结构是n-i-p型结构，器件自上而下依次包括导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和电极；所述空穴传输层的材料是掺杂了双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐(Li-TFSI)和4-叔丁基吡啶(tbp)的spiro-OMeTAD，所述spiro-OMeTAD使用权利要求1所述的方法氧化。

4.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述导电玻璃为锡掺杂的二氧化铟透明导电玻璃(ITO)或氟掺杂的二氧化锡透明导电玻璃(FTO)。

5.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的材料选自二氧化锡胶体水溶液、平面二氧化钛(TiO₂)、介孔二氧化钛(TiO₂)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(ZnO:Al)、[6，6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)中的一种或几种。

6.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿活性层的材料选自MAPbI_xBr_yCl_3-x-y、FAPbI_xBr_yCl_3-x-y、CsPbI_xBr_yCl_3-x-y、

Cs_zFA_1-zPbI_xBr_yCl_3-x-y、Cs_zFA_kMA_1-z-kPbI_xBr_yCl_3-x-y、(FAPb I3)_x(MAPbBr3)_1-x中的一种或几种；其中，x＝0～3，y＝0～3,z＝0～3，k＝0～3。

7.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿活性层的厚度为100nm～1μm。

8.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层为spiro-OMeTAD，厚度为80nm～300nm。

9.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电极的材料选自金、银、铜、碳中的一种或几种。