[发明专利]一种二维钙钛矿单晶的制备方法

权利要求书

1.一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，利用液-液相限域方法制备二维钙钛矿单晶，所得二维钙钛矿单晶上表面不与基板接触，从而减少缺陷，得到高质量的二维钙钛矿单晶，包括以下步骤：

（1）将AX和BX₂按照一定比例溶于前驱体溶剂中，得前驱体溶液体系，并加热搅拌，得到澄清透明的ABX₃前驱体溶液，其中ABX₃前驱体溶液浓度为0.1 wt% 至饱和溶液浓度，其中，A为MA⁺、FA⁺、Cs⁺中的一种或多种，B为Pb²⁺、Sn²⁺中的一种或两种，X为Cl⁻、Br⁻、I⁻中的一种或多种；

（2）取上述ABX₃前驱体溶液，滴加到洁净的平面基底上并铺开成膜；

（3）将限制相溶剂滴加到ABX₃前驱体溶液膜上方，并将其完全覆盖，形成液-液界面，限制相溶剂厚度可以隔绝水分与空气，其中，所述的限制相溶剂与ABX₃前驱体溶液不互溶，且密度应小于ABX₃前驱体溶液密度；

（4）在低温下静置生长一段时间，得到二维钙钛矿单晶；

所述的限制相溶剂为硅油。

2.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，可根据所需二维钙钛矿单晶厚度调整滴加ABX₃前驱体溶液体积和基底大小，所得二维钙钛矿单晶厚度在100 nm-5 mm之间。

3.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的前驱体溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯中的一种或它们的混合。

4.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的平面基底为玻璃或硅片或聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚四氟乙烯。

5.如权利要求1所述的一种二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，所述的低温温度范围在0-80℃，生长时间0.1小时—10天。