[发明专利]存储器器件及其形成方法

说明书

存储器器件包括编程栅极条、读取栅极条和一位存储器单元的阵列。每个一位存储器单元包括反熔丝结构、晶体管、端子导体、一组第一编程导线和位连接件。反熔丝结构具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，该第一半导体区域位于编程栅极条和有源区的交点处。晶体管具有位于读取栅极条和有源区的交点处的有源区中的沟道区域。端子导体位于有源区中的晶体管的端子区域上面。该组第一编程导线通过一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至编程栅极条。位连接件通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至端子导体。本发明的实施例还涉及存储器器件的形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。

背景技术

集成电路(IC)有时包括一次性可编程(OTP)存储器元件，以提供非易失性存储器(NVM)，其中在IC断电时数据不会丢失。NVM的一种类型包括通过使用连接至其他电路元件的介电材料(氧化物等)层集成为IC的反熔丝位。为了编程反熔丝位，在介电材料层上施加编程电场以可持续地改变(例如击穿)介电材料，从而减小介电材料层的电阻。通常，为了确定反熔丝位的状态，在介电材料层上施加读取电压，并且读取合成电流。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器器件，包括：第一编程栅极条，在垂直于第一方向的第二方向上延伸；第一读取栅极条，在所述第二方向上延伸；以及第一一位存储器单元的阵列，所述第一一位存储器单元对准并且沿着所述第二方向分布，其中，每个所述第一一位存储器单元包括：第一反熔丝结构，具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，所述第一半导体区域位于所述第一编程栅极条和在所述第一方向上延伸的所述有源区的交点处，第一晶体管，具有位于所述第一读取栅极条和所述有源区的交点处的所述有源区中的第一沟道区域，端子导体，位于所述有源区中的所述第一晶体管的端子区域上面；一组第一编程导线，在所述第一方向上延伸，通过第一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至所述第一编程栅极条，和位连接件，通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至所述端子导体。

本发明的另一实施例提供了一种存储器器件，包括：第一编程栅极条和第二编程栅极条，均在垂直于第一方向的第二方向上延伸；第一读取栅极条和第二读取栅极条，均在所述第二方向上延伸，位于所述第一编程栅极条和所述第二编程栅极条之间；第一反熔丝结构，具有位于有源区中的第一半导体区域上面的第一介电层，所述第一半导体区域位于所述第一编程栅极条和在所述第一方向上延伸的所述有源区的交点处；第一晶体管，具有位于所述第一读取栅极条和所述有源区的交点处的所述有源区中的第一沟道区域；第二反熔丝结构，具有位于所述有源区中的第二半导体区域上面的第二介电层，所述第二半导体区域位于所述第二编程栅极条和所述有源区的交点处；第二晶体管，具有位于所述第二读取栅极条和所述有源区的交点处的所述有源区中的第二沟道区域；端子导体，位于所述第一晶体管的所述第一沟道区域和所述第二晶体管的所述第二沟道区域之间的所述有源区中的端子区域上面；一组第一编程导线，在所述第一方向上延伸，通过第一组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至所述第一编程栅极条；一组第二编程导线，在所述第一方向上延伸，通过第二组一个或多个栅极通孔连接件导电地连接至所述第二编程栅极条；以及位连接件，通过一个或多个端子通孔连接件导电地连接至所述端子导体。