[发明专利]一种多结太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号: | 202110249426.0 | 申请日: | 2021-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN113035983B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力 |
| 地址: | 225101*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种多结太阳能电池,其特征在于,包括:
依次层叠的第一子电池和至少一个第二子电池,所述第一子电池和与其相邻的第二子电池之间包括第一隧穿结,相邻所述第二子电池之间包括第二隧穿结;第一隧穿结的上一层为DBR层,其下一层为缓冲层,所述DBR层的上一层为第二子电池;
所述第一子电池包括:窗口层和位于所述窗口层朝向所述第二子电池一侧的载流子反射层,所述载流子反射层的铝组分含量大于所述窗口层的铝组分;所述窗口层和所述载流子反射层的掺杂原子均为硅原子或碲原子;
所述载流子反射层的上一层为缓冲层。
2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其特征在于,所述第一子电池还包括:
第一掺杂类型锗衬底;
位于所述第一掺杂类型锗衬底与所述窗口层之间的第二掺杂类型锗衬底。
3.根据权利要求2所述的多结太阳能电池,其特征在于,所述窗口层包括AlxGa1-xInP层;
所述载流子反射层包括AlyGa1-yInP层,x<y。
4.根据权利要求3所述的多结太阳能电池,其特征在于,0≤x≤0.4;
x<y≤1。
5.根据权利要求3所述的多结太阳能电池,其特征在于,所述窗口层和所述载流子反射层的掺杂原子均为硅原子或碲原子;
所述窗口层的掺杂浓度小于所述载流子反射层的掺杂浓度。
6.根据权利要求5所述的多结太阳能电池,其特征在于,所述窗口层的掺杂浓度的取值范围为1×1018~5×1018;
所述载流子反射层的掺杂浓度的取值范围为5×1018~2×1019。
7.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其特征在于,所述第一子电池和所述第二子电池的晶格匹配。
8.一种多结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
形成第一子电池,所述第一子电池包括:窗口层和位于所述窗口层朝向第二子电池一侧的载流子反射层,所述载流子反射层的铝组分含量大于所述窗口层的铝组分含量;
在所述第一子电池表面依次形成至少一个第二子电池,所述第一子电池和与其相邻的第二子电池之间包括第一隧穿结,相邻所述第二子电池之间包括第二隧穿结;
第一隧穿结的上一层为DBR层,其下一层为缓冲层,所述DBR层的上一层为第二子电池;
所述窗口层和所述载流子反射层的掺杂原子均为硅原子或碲原子;
所述载流子反射层的上一层为缓冲层。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述形成第一子电池包括:
形成第一掺杂类型锗衬底;
在所述第一掺杂类型锗衬底表面形成第二掺杂类型锗衬底;
在所述第二掺杂类型锗衬底背离所述第一掺杂类型锗衬底一侧形成窗口层;
在所述窗口层背离所述第二掺杂类型锗衬底一侧形成所述载流子反射层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述窗口层包括AlxGa1-xInP层;
所述载流子反射层包括AlyGa1-yInP层,0≤x≤0.4;
x<y≤1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





