[发明专利]一种酒红色薄膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种酒红色薄膜层，其特征在于：包括依次覆盖于消费产品（1）表面的Ti层（2）、TiN层（3）、TiAlN层（4）、TiAlON层（5）、TiAlN层（4）、TiAlON层（5）、TiAlN层（4）、TiAlON层（5）、TiAlN层（4）、TiAlON层（5）、TiAlN层（4）、TiAlON层（5）、TiAlN层（4）、Al₂O₃层（6）；包括以下步骤：

步骤1，清洗消费产品（1）表面，并将清洗后的消费产品（1）放入真空镀膜室中加热、抽真空；

步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对消费产品（1）表面进行离子清洗；

步骤3，开启Ti靶，采用磁控溅射法在消费产品表面沉积Ti层（2）；

步骤4，通入氮气，采用磁控溅射法在Ti层（2）表面沉积TiN层（3）；

步骤5，开启Al靶，采用磁控溅射法在TiN层（3）表面沉积TiAlN层（4）；

步骤6，通入氧气，采用磁控溅射法在TiAlN层（4）表面沉积TiAlON层（5）；

步骤7，关闭氧气，采用磁控溅射法在TiAlON层（5）表面沉积TiAlN层（4）；

步骤8，重复步骤6以及步骤7的镀膜操作4次；

步骤9，关闭Ti靶和Al靶，通入氩气和氧气，重新打开Al靶，采用磁控溅射法在TiAlN层（4）表面沉积Al₂O₃层（6）；

所述步骤3中，通入氩气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，Ti靶的电流设定为20-25A，Ti层（2）的沉积时间为5-7min；

所述步骤4中，通入氮气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，Ti靶的电流设定为25-30A，TiN层（3）的沉积时间为30-35min；

所述步骤5中，通入氮气以及氩气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，开启Al靶，Al靶的电流设定为10-12A，Ti靶的电流设定为25-30A，TiAlN层（4）的沉积时间为30-35min；

所述步骤6中，通入氧气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，Ti靶的电流设定为25-30A，Al靶的电流设定为10-12A，TiAlON层（5）的沉积时间为1-3min；

所述步骤7中，关闭氧气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，Ti靶的电流设定为25-30A，Al靶的电流设定为10-12A，TiAlN层（4）的沉积时间为2-4min；

所述步骤9中，关闭Ti靶和Al靶，通入氩气和氧气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-80）-（-100）V，重新打开Al靶，Al靶的电流设定为25-30A，Al₂O₃层（6）的沉积时间为20-25min。

2.一种如权利要求1所述的酒红色薄膜层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，清洗消费产品（1）表面，并将清洗后的消费产品（1）放入真空镀膜室中加热、抽真空；

步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对消费产品（1）表面进行离子清洗；

步骤3，开启Ti靶，采用磁控溅射法在消费产品表面沉积Ti层（2）；

步骤4，通入氮气，采用磁控溅射法在Ti层（2）表面沉积TiN层（3）；

步骤5，开启Al靶，采用磁控溅射法在TiN层（3）表面沉积TiAlN层（4）；

步骤6，通入氧气，采用磁控溅射法在TiAlN层（4）表面沉积TiAlON层（5）；

步骤7，关闭氧气，采用磁控溅射法在TiAlON层（5）表面沉积TiAlN层（4）；

步骤8，重复步骤6以及步骤7的镀膜操作4次；

步骤9，关闭Ti靶和Al靶，通入氩气和氧气，重新打开Al靶，采用磁控溅射法在TiAlN层（4）表面沉积Al₂O₃层（6）。

3.根据权利要求2所述的酒红色薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤2-9中，Ti靶均采用中频磁控溅射镀膜电源。

4.根据权利要求2所述的酒红色薄膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，当真空镀膜室中的真空度达5×10^-3-7×10^-3Pa时，通入氩气，使气压达到0.1-0.2Pa，偏压设定为（-300）-（-350）V，离子清洗20-40s。