[发明专利]基片处理装置和基片处理装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110224018.X 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113394129A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 中川西学;武田聪 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:

处理容器,其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件;

制冷装置,以在其与所述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置,具有制冷机和与所述制冷机层叠的制冷载热体;

使所述制冷装置升降的第一升降装置;

致冷剂流路,其设置在所述制冷装置的内部,对所述间隙供给致冷剂;

对供给到所述致冷剂流路的致冷剂进行压缩的压缩装置;以及

与第一连接固定部和第二连接固定部这两者连接固定的致冷剂输送管,其中,所述第一连接固定部是所述制冷装置中的所述致冷剂流路的流路口,所述第二连接固定部与所述压缩装置以流体能够流动的方式连通,

所述致冷剂输送管在所述第一连接固定部与所述第二连接固定部之间以至少一部分弯曲的状态延伸设置,

在所述第二连接固定部中,所述致冷剂输送管载置于支承部件上。

2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:

所述第一升降装置使所述制冷装置和所述载置台一起升降。

3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:

还包括使所述载置台升降的第二升降装置和控制装置,

所述控制装置执行所述第一升降装置和所述第二升降装置的同步控制,来调整所述靶材与所述载置台之间的距离。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

在所述压缩装置与所述第二连接固定部之间具有第三连接固定部,

所述压缩装置与所述第三连接固定部以流体能够流动的方式连通,所述第三连接固定部与所述第二连接固定部以流体能够流动的方式连通。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

至少所述致冷剂输送管、所述第二连接固定部和所述支承部件收纳于壳体的内部。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述致冷剂输送管具有与所述第一连接固定部连接固定的第一硬管和与所述第二连接固定部连接固定的第一挠性管,所述第一挠性管以弯曲的状态延伸设置。

7.如权利要求6所述的基片处理装置,其特征在于:

在所述第一硬管与所述第一挠性管之间具有在铅垂方向上延伸设置的第二挠性管和U形的第二硬管,

所述第一硬管与所述第二挠性管的一端连接,所述第二挠性管的另一端与所述第二硬管的一端连接,在所述第二硬管的另一端固定所述第一挠性管的一端。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述致冷剂流路包括:将所述致冷剂供给到所述间隙的供给流路;和将通过对所述载置台的冷却而升温了的所述致冷剂从所述间隙排出的排出流路,

所述致冷剂输送管包括:对所述供给流路供给所述致冷剂的第一致冷剂输送通路;和从所述排出流路排出所述致冷剂的第二致冷剂输送通路,

所述第一致冷剂输送通路和所述第二致冷剂输送通路分别载置于固有的所述支承部件上。

9.一种基片处理装置的制造方法,其特征在于:

所述基片处理装置包括:

处理容器,其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件;

制冷装置,以在其与所述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置,具有制冷机和与所述制冷机层叠的制冷载热体;

使所述制冷装置升降的第一升降装置;

致冷剂流路,其设置在所述制冷装置的内部,对所述间隙供给致冷剂;

对供给到所述致冷剂流路的致冷剂进行压缩的压缩装置;以及

与第一连接固定部和第二连接固定部这两者连接固定的致冷剂输送管,其中,所述第一连接固定部是所述制冷装置中的所述致冷剂流路的流路口,所述第二连接固定部与所述压缩装置以流体能够流动的方式连通,

所述基片处理装置的制造方法包括:将所述致冷剂输送管以至少一部分弯曲的状态延伸设置在所述第一连接固定部与所述第二连接固定部之间,在所述第二连接固定部,将所述致冷剂输送管载置在支承部件上的步骤。

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