[发明专利]一种层状无锂正极材料容量调控方法

权利要求书

1.一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.对于一种层状电极材料，测试其层间距，记为d₁；

S2.若所述层状电极材料的层间距d₁＞1nm，则选取包含锂离子的电解液作为工作电解液；若所述层状电极材料的层间距d₁≤1nm，则选取包含直径d₂满足如下关系式的阳离子的电解液作为工作电解液，即可提升所述层状电极材料的比容量：

0nm＜d₁-d₂＜0.4nm；

所述阳离子为锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铯离子中、四甲基铵阳离子及四乙基铵阳离子中的任一种或多种。

2.根据权利要求1所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，在步骤S1中，所述层状电极材料包括但不限于为镍基层状材料、钛基层状材料、钴基层状材料、锰基层状材料、石墨烯及其衍生物中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，在步骤S2中，所述工作电解液的溶剂为水、碳酸酯、乙腈、二甲基亚砜、1,4-丁内酯、二甲基四氢呋喃、四氢呋喃、1,3-二氧环戊烷、1,2-二甲氧基乙烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，在步骤S2中，所述d₂满足如下关系式：

0nm＜d₁-d₂＜0.25nm。

5.根据权利要求2所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，在步骤S2中，所述层间距d₁＞1nm的层状电极材料为MXene。

6.根据权利要求5所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，所述MXene为层间距d₁为1～2nm的Ti₃C₂T_x-MXene。

7.根据权利要求2所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，在步骤S2中，所述层间距d₁≤1nm的层状电极材料为锰基层状材料、石墨烯及其衍生物中的一种。

8.根据权利要求7所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，所述层间距d₁≤1nm的层状电极材料为二氧化锰或还原氧化石墨烯。

9.根据权利要求8所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，所述二氧化锰的层间距为0.6～0.8nm。

10.根据权利要求9所述的一种层状无锂正极材料容量调控方法，其特征在于，所述工作电解液为包含铯离子的电解液，所述工作电解液的溶剂为去离子水。