[发明专利]多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列

权利要求书

1.一种多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列，其特征在于，该存储单元阵列连接至第一耦合线、第二耦合线、第一抹除线、第一源极线、第二源极线、第一位线与第二位线，该存储单元阵列包括：

第一存储单元，该第一存储单元连接至该第一耦合线、该第一抹除线、该第一源极线与该第一位线；

第二存储单元，该第二存储单元连接至该第一耦合线、该第一抹除线、该第二源极线与该第二位线；

第三存储单元，该第三存储单元连接至该第二耦合线、该第一抹除线、该第一源极线与该第一位线；以及

第四存储单元，该第四存储单元连接至该第二耦合线、该第一抹除线、该第二源极线与该第二位线。

2.如权利要求1所述的存储单元阵列，其中该第一抹除线连接至第一阱区，该第一耦合线连接至第二阱区，且该第二耦合线连接至第三阱区。

3.如权利要求1所述的存储单元阵列，其中在编程动作时，该第一耦合线接收编程电压，该第二耦合线与该第一抹除线接收最低电压，该第一源极线与该第一位线接收第一供应电压使得该第一存储单元被编程为第一存储状态，该第二源极线与该第二位线接收第二供应电压使得该第二存储单元被编程为第二存储状态，该编程电压大于该第二供应电压，该第二供应电压大于该第一供应电压，该第一供应电压大于等于该最低电压。

4.如权利要求3所述的存储单元阵列，其中在抹除动作时，该第一耦合线接收该最低电压，该第二耦合线与该第一抹除线接收抹除电压，该第一源极线与该第一位线接收该抹除电压使得该第一存储单元被抹除为该第二存储状态，该第二源极线与该第二位线接收该抹除电压使得该第二存储单元被抹除为该第二存储状态，该抹除电压大于该最低电压。

5.如权利要求3所述的存储单元阵列，其中在读取动作时，该第一耦合线与该第一抹除线接收该第一供应电压，该第二耦合线接收该最低电压，该第一源极线接收该第一供应电压，该第一位线接收该第二供应电压使得该第一存储单元产生读取电流，该第二源极线与该第二位线接收该第一供应电压使得该第二存储单元未产生该读取电流。

6.如权利要求1所述的存储单元阵列，还包括：第一字符线，连接至该第一存储单元与该第二存储单元；以及，第二字符线，连接至该第三存储单元与该第四存储单元。

7.如权利要求6所述的存储单元阵列，其中在编程动作时，该第一耦合线接收编程电压，该第二耦合线与该第一抹除线接收最低电压，该第一源极线与该第一位线接收第一供应电压，该第一字符线接收第二供应电使得该第一存储单元被编程为第一存储状态，该第二源极线与该第二位线接收该第二供应电压，该第二字符线接收该最低电压，使得该第二存储单元被编程为第二存储状态，该编程电压大于该第二供应电压，该第二供应电压大于该第一供应电压，该第一供应电压大于等于该最低电压。

8.如权利要求7所述的存储单元阵列，其中在抹除动作时，该第一耦合线接收该最低电压，该第二耦合线与该第一抹除线接收抹除电压，该第一字符线与该第二字符线接收该第一供应电压，该第一源极线与该第一位线接收该抹除电压使得该第一存储单元被抹除为该第二存储状态，该第二源极线与该第二位线接收该抹除电压使得该第二存储单元被抹除为该第二存储状态，该抹除电压大于该最低电压。

9.如权利要求7所述的存储单元阵列，其中在读取动作时，该第一耦合线、该第二耦合线与该第一抹除线接收该第一供应电压，该第一字符线接收该第二供应电压，该第二字符线接收该最低电压，该第一源极线接收该第一供应电压，该第一位线接收该第二供应电压使得该第一存储单元产生读取电流，该第二源极线与该第二位线接收该第一供应电压使得该第二存储单元未产生该读取电流。