[发明专利]一种通过选择性外延提升器件性能的方法在审
| 申请号： | 202110205209.1 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013231A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 选择性 外延 提升 器件 性能 方法 | ||
1.一种通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供半导体结构，该半导体结构包括：基底、位于该基底上的两个MOS结构；
步骤二、在所述两个MOS结构之间的基底上刻蚀形成U型槽；
步骤三、在所述U型槽内外延生长缓冲层；
步骤四、在所述U型槽的所述缓冲层上生长体层；
步骤五、在所述体层上通过生长帽层并刻蚀该帽层的方法，得到在所述体层100晶面厚度均匀的帽层。
2.一种通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供半导体结构，该半导体结构包括：基底、位于该基底上的两个MOS结构；
步骤二、在所述两个MOS结构之间的基底上刻蚀形成U型槽；
步骤三、在所述U型槽内外延生长缓冲层；
步骤四、在所述U型槽的所述缓冲层上生长体层；
步骤五、在所述体层上通过两次反复生长、刻蚀帽层的方法，得到在所述体层100晶面厚度均匀的帽层。
3.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤二中利用等离子体干法刻蚀在所述两个MOS结构之间的基底上刻蚀形成U型槽。
4.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤一中的所述两个MOS结构为PMOS或NMOS结构。
5.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中生长帽层的方法为外延生长法，生长温度为500～800℃。
6.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中外延生长所述帽层的压力为1～100torr。
7.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中外延生长所述帽层所采用的气体包括SiH2Cl2、SiH4、GeH4、PH3、HCL、H2、N2中的至少一种。
8.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中外延生长所述帽层所采用的气体的流量为1sccm～1000sccm。
9.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中外延生长所述帽层所采用的载气为氢气和氮气。
10.根据权利要求1或2任意一项所述的通过选择性外延提升器件性能的方法，其特征在于：步骤五中外延生长所述帽层所采用的氢气和氮气的流量为1slm～50slm。
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