[发明专利]三维相变存储器及其制备方法有效
| 申请号: | 202110198006.4 | 申请日: | 2021-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN112968126B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
| 地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三维 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种三维相变存储器,其特征在于,包括:
沿第一方向延伸的第一导电线,沿第二方向延伸的第二导电线,以及垂直设置于所述第一导电线和所述第二导电线之间的相变存储单元;所述相变存储单元包括沿第三方向叠置的选通元件以及相变存储层,其中,
所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互垂直;所述选通元件包括第一选通层和第二选通层,所述第一选通层位于所述相变存储层与所述第一导电线之间,所述第二选通层位于所述相变存储层与所述第二导电线之间,其中,
所述第一导电线和所述第二导电线沿第三方向的厚度相等,
所述第一选通层沿第三方向的厚度与所述第二选通层沿第三方向的厚度相等,所述第一选通层的热导率系数与所述第二选通层的热导率系数相等;或者,
所述第一选通层沿第三方向的厚度大于所述第二选通层沿第三方向的厚度,所述第一选通层的热导率系数大于所述第二选通层的热导率系数;或者,
所述第一选通层沿第三方向的厚度小于所述第二选通层沿第三方向的厚度,所述第一选通层的热导率系数小于所述第二选通层的热导率系数。
2.根据权利要求1所述的三维相变存储器,其特征在于:
所述第一选通层传递的热流量与所述第二选通层传递的热流量的比值为0.85-1.15。
3.根据权利要求1所述的三维相变存储器,其特征在于,所述相变存储单元具体包括:
沿第三方向依次堆叠的第一选通层、第一电极、第二电极、相变存储层、第三电极、第四电极和第二选通层;其中,
所述第一电极与所述第四电极的材料包括含碳材料;
所述第二电极与所述第三电极的材料包括金属材料。
4.一种三维相变存储器的制备方法,其特征在于,包括:
形成第一导电线材料层,所述第一导电线材料层用于形成沿第一方向延伸的第一导电线;
在所述第一导电线材料层上形成相变存储单元材料叠层,所述相变存储单元材料叠层用于形成相变存储单元,所述相变存储单元包括沿第三方向叠置的选通元件和相变存储层;
形成位于所述相变存储单元上的沿第二方向延伸的第二导电线;其中,
所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互垂直;所述选通元件包括第一选通层和第二选通层,所述第一选通层位于所述相变存储层与所述第一导电线之间,所述第二选通层位于所述相变存储层与所述第二导电线之间,其中,
所述第一导电线和所述第二导电线沿第三方向的厚度相等,
所述第一选通层沿第三方向的厚度与所述第二选通层沿第三方向的厚度相等,所述第一选通层的热导率系数与所述第二选通层的热导率系数相等;或者,
所述第一选通层沿第三方向的厚度大于所述第二选通层沿第三方向的厚度,所述第一选通层的热导率系数大于所述第二选通层的热导率系数;或者,
所述第一选通层沿第三方向的厚度小于所述第二选通层沿第三方向的厚度,所述第一选通层的热导率系数小于所述第二选通层的热导率系数。
5.根据权利要求4所述的三维相变存储器的制备方法,其特征在于:
所述第一选通层在单位时间内沿朝向所述第一导电线的方向上传递的热量与所述第二选通层在单位时间内朝向所述第二导电线的方向上传递的热量的比值为0.85-1.15。
6.根据权利要求4所述的三维相变存储器的制备方法,其特征在于,沿第三方向依次堆叠的第一选通层、第一电极、第二电极、相变存储层、第三电极、第四电极和第二选通层;其中,
所述第一电极与所述第四电极的材料包括含碳材料;
所述第二电极与所述第三电极的材料包括金属材料。
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