[发明专利]集成电路及其形成方法在审
| 申请号: | 202110194397.2 | 申请日: | 2021-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN113937089A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 彭士玮;吴佳典;曾健庭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
公开了集成电路。该集成电路包含导电轨、信号轨、至少一个第一通孔以及至少一个第一导电部。该至少一个第一通孔设置在第一导电层与第二导电层之间,并且将信号轨的第一信号轨耦合至导电轨的至少一个。该第一信号轨配置为将供应信号传输通过至少一个第一通孔和导电轨的至少一个到达集成电路的至少一个元件。该至少一个第一导电部设置在第一导电层与第二导电层之间。该至少一个第一导电部耦合至导电轨的至少一个并且与第一信号轨分离。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
技术领域
本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。
背景技术
集成电路(IC)经历了指数式增长。IC的设计产生了尺寸更小、电路更复杂的数代产品。愈加密集的IC带来了速度、功能和成本方面的优势,但也带来了愈加困难的设计和制造问题。
发明内容
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种集成电路,包括:多个导电轨,设置在第一导电层中;多个信号轨,设置在第一导电层上方的第二导电层中;至少一个第一通孔,设置在第一导电层与第二导电层之间,并且将多个信号轨的第一信号轨耦合至多个导电轨的至少一个,其中,第一信号轨被配置为将供应信号传输通过至少一个第一通孔和多个导电轨的至少一个到达集成电路的至少一个元件;以及至少一个第一导电部,设置在第一导电层与第二导电层之间,其中,至少一个第一导电部耦合至多个导电轨的至少一个并且与第一信号轨分离。
根据本发明实施例的另一个方面,提供了一种集成电路,包括:第一多个导电轨,设置在第一导电层中并且沿第一方向延伸,其中,第一多个导电轨被配置为将电源信号传输至集成电路的至少一个元件;第二多个导电轨,设置在第一导电层中并且沿第一方向延伸,其中,在布局图中,第二多个导电轨设置在第一多个导电轨之间并且彼此分离,其中,第二多个导电轨被配置为将数据信号传输至集成电路的至少一个元件;至少一个第一通孔,设置在第一导电层与在第一导电层上方的第二导电层之间,并且将第一多个导电轨之一耦合至设置在第二导电层中的电源轨;以及至少一个第一导电部,设置在第一导电层与在第一导电层上方的第二导电层之间,其中,在布局图中,至少一个第一导电部至少部分地与第二多个导电轨的至少两个相邻的导电轨重叠,并且至少一个第一导电部接触第二多个导电轨的至少两个相邻的导电轨并且与设置在第二导电层中并紧邻电源轨的信号轨分离。
根据本发明实施例的又一个方面,提供了一种形成集成电路的方法,包括:形成多个导电轨;在多个导电轨上形成膜结构;图案化膜结构以形成第一图案;用导电材料填充第一图案以形成第一导电结构,第一导电结构包含接触多个导电轨的至少一个第一导电轨的至少一个第一导电部;形成覆盖至少一个第一导电部的介电结构;以及除去膜结构的部分和介电结构的部分,以暴露多个导电轨的第二导电轨的部分;以及将导电材料填充在膜结构的已除去部分和介电结构的已除去部分中,以形成第二导电结构,第二导电结构包含接触第二导电轨的暴露部分的第一通孔和接触第一通孔的信号轨。
附图说明
当与附图一起阅读时,根据以下详细描述可以最好地理解本发明的各方面。应注意,根据行业中的标准实践,各种部件未按比例绘制。实际上,为论述清楚,各种部件的尺寸可任意增加或减少。
图1A至图1B是根据本发明的一些实施例的集成电路(IC)的布局图。
图2是根据本发明的一些实施例的对应于图1A或图1B的布局图的截面示意图。
图3A至图3C是根据本发明的一些实施例的IC的布局图。
图4是根据本发明的一些实施例的IC的布局图。
图5A至图5C是根据本发明的一些实施例的对应于图4的布局图的截面示意图。
图6是根据本发明的一些实施例的用于制造IC的方法的流程图。
图7A至图7G是根据本发明的一些实施例的在对应于图4的IC的部分的截面图中示出图6的方法的各种过程的示意图。
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