[发明专利]半导体晶体管器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体晶体管器件，包括：

沟道结构；

栅极结构，包裹所述沟道结构；

第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构，布置在所述沟道结构的相对端部上；

栅极接触件，布置在所述栅极结构上；以及

背侧源极/漏极接触件，布置在所述第一源极/漏极外延结构下方；

其中，所述第一源极/漏极外延结构具有与所述背侧源极/漏极接触件接触的凹底面。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，还包括背侧介电帽，所述背侧介电帽布置在所述第二源极/漏极外延结构下方并与所述第二源极/漏极外延结构直接接触。

3.根据权利要求2所述的半导体晶体管器件，其中，所述第二源极/漏极外延结构具有与所述背侧介电帽接触的凹底面。

4.根据权利要求2所述的半导体晶体管器件，其中，所述背侧介电帽在所述栅极结构下方延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体晶体管器件，其中，所述背侧介电帽与所述栅极结构直接接触。

6.根据权利要求2所述的半导体晶体管器件，还包括中间隔离结构，所述中间隔离结构围绕所述栅极结构、所述第一源极/漏极外延结构和所述第二源极/漏极外延结构。

7.根据权利要求6所述的半导体晶体管器件，还包括下隔离结构，所述下隔离结构布置在所述中间隔离结构下方并且围绕所述背侧介电帽。

8.根据权利要求1所述的半导体晶体管器件，还包括介电侧壁间隔件，所述介电侧壁间隔件沿着所述背侧源极/漏极接触件的侧壁布置。

9.一种半导体晶体管器件，包括：

沟道结构；

栅极结构，包裹所述沟道结构；

第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构，布置在所述沟道结构的相对端部上；

栅极接触件，布置在所述栅极结构上；以及

背侧源极/漏极接触件，布置在所述第一源极/漏极外延结构下方并与所述第一源极/漏极外延结构接触；以及

背侧介电帽，布置在所述第二源极/漏极外延结构和所述栅极结构下方并与所述第二源极/漏极外延结构和所述栅极结构接触。

10.一种形成半导体晶体管器件的方法，所述方法包括：

通过交替地堆叠第一半导体层和第二半导体层在衬底上方形成鳍结构；

在所述鳍结构上方形成伪栅极结构；

去除未被所述伪栅极结构覆盖的所述鳍结构的一部分；

在所述第一半导体层的剩余部分的相对侧上形成内部间隔件；

在所述鳍结构的相对端部上形成第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构；

用金属栅极结构替换所述伪栅极结构和所述第一半导体层；

去除所述衬底并形成背侧覆盖沟槽以暴露出所述金属栅结构的底面和所述第二源极/漏极外延结构的底面，其中所述第二源极/漏极外延结构的所述底面凹进；

在所述背侧覆盖沟槽中形成背侧介电帽；以及

在所述第一源极/漏极外延结构下方形成与所述第一源极/漏极外延结构接触的背侧源极/漏极接触件。