[发明专利]间隔件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造间隔件结构的方法，其包括：

形成各自放置于具有由硅组成的顶表面的衬底上的第一SRAM装置的第一导电栅极结构和第二SRAM装置的第二导电栅极结构，其中所述第一导电栅极结构或所述第二导电栅极结构中的一个大于所述第一导电栅极结构或所述第二导电栅极结构中的另一个；

在所述第一导电栅极结构和所述第二导电栅极结构中的每一个上方设置帽盖层，其中所述帽盖层是自对准硅化物；

氧化所述第一导电栅极结构的侧壁和所述第二导电栅极结构的侧壁以分别形成第一介电层和第二介电层；

在所述氧化之后，在所述第一导电栅极结构上方形成掩模元件且在所述掩模元件位于所述第一导电栅极结构上方的同时去除所述第二介电层；

形成覆盖所述第一介电层且覆盖所述帽盖层的上表面和所述第二导电栅极结构的侧壁的第三介电层，其中所述第三介电层是二氧化硅；及

去除放置于位于所述第一导电栅极结构上方的所述帽盖层的上表面和位于所述第二导电栅极结构上方的所述帽盖层的所述上表面上方的所述第三介电层，其中所述去除所述第三介电层在不具有掩模层的情况下执行，且

其中在所述去除之后，所述第一介电层和所述第三介电层放置于所述第一导电栅极结构的侧壁上且形成第一间隔件结构，其中在所述第一间隔件结构具有直接介接所述衬底的所述顶表面和所述第三介电层的所述第一介电层中且所述第三介电层直接介接所述衬底的所述顶表面，且

其中在所述去除之后，所述第三介电层放置于所述第二导电栅极结构的所述侧壁和所述衬底的所述顶表面上且形成第二间隔件结构，且

其中所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构，且其中所述第一间隔件结构包含延伸第一高度的所述第一介电层和延伸第二高度的所述第三介电层，所述第二高度大于所述第一高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述帽盖层中的每一个延伸所述第二高度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧化包含氧化所述第一导电栅极结构的多晶硅和所述第二导电栅极结构的多晶硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除所述第二介电层包含执行蚀刻。

5.一种用于制造间隔件结构的方法，其包括：

形成具有放置于其上的自对准硅化物的第一帽盖结构且放置于具有第一组合物的顶部表面的绝缘体上硅SOI衬底上方的第一栅极结构，其中所述第一栅极结构具有第一组尺寸；

形成具有其上的自对准硅化物的第二帽盖结构且安置于所述衬底上方且在所述第一组合物的所述顶表面上的第二栅极结构，其中所述第二栅极结构具有第二组尺寸，其中所述第一栅极结构用于SRAM装置且所述第二栅极结构用于另一SRAM装置，所述第二组尺寸不同于所述第一组尺寸；

通过氧化过程生长覆盖所述第一栅极结构的侧壁和所述第二栅极结构的侧壁的第一介电层，其中所述第一介电层基本上I形介接所述第一组合物的所述顶表面；

形成硬掩模层以阻断所述第一栅极结构上方的所述第一介电层且以暴露所述第二栅极结构上方的所述第一介电层；

蚀刻由所述硬掩模层暴露的所述第一介电层以暴露所述第二栅极结构的所述侧壁；

去除所述硬掩模层；

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构上方、包含在所述第一帽盖结构和所述第二帽盖结构上方形成覆盖所述第一介电层的第二二氧化硅介电层，其中所述第二介电层介接所述第一组合物的所述顶表面；及

在不具有掩模层的情况下从所述第一栅极结构的所述第一帽盖结构的上表面和所述第二栅极结构的所述第二帽盖结构的上表面上方蚀刻所述第二介电层，使得在所述蚀刻所述第二介电层之后所述第二介电层直接介接所述第一帽盖结构和所述第二帽盖结构中的每一个的侧壁；

其中用于所述SRAM装置的所述第一栅极结构的间隔件元件由所述第一介电层和所述第二介电层组成以形成用于所述第一栅极结构的第一宽度的间隔件元件，且其中用于所述另一SRAM装置的所述第二栅极结构的间隔件元件由所述第二介电层组成以形成用于所述第二栅极结构的第二宽度的所述间隔件元件，其中所述第二宽度小于所述第一宽度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构由多晶硅形成。