[发明专利]快闪记忆体装置、其形成方法和快闪记忆体单元阵列

权利要求书

1.一种快闪记忆体装置，其特征在于，包括：

一浮动栅极电极，在具有一第一导电类型的一掺杂的一基板半导体层内形成；

一对主动区，在该基板半导体层内形成，该对主动区具有一第二导电类型的一掺杂并且与该浮动栅极电极横向隔开；

一抹除栅极电极，在该基板半导体层内形成，并且与该浮动栅极电极横向偏离；及

一控制栅极电极，覆盖该浮动栅极电极。

2.如权利要求1所述的快闪记忆体装置，其特征在于，其中：

该浮动栅极电极位于一第一开口内，该第一开口从该基板半导体层的一顶表面朝向该基板半导体层的一背侧表面垂直延伸；及

一穿隧介电质位于该第一开口的侧壁及一底表面上。

3.如权利要求2所述的快闪记忆体装置，其特征在于，其中：

该抹除栅极电极位于一第二开口内，该第二开口从该基板半导体层的该顶表面朝向该基板半导体层的该背侧表面垂直延伸；及

一抹除栅极介电质位于该第二开口的侧壁及一底表面上。

4.如权利要求3所述的快闪记忆体装置，其特征在于，该抹除栅极电极通过该穿隧介电质的一垂直部分及该抹除栅极介电质的一垂直部分而与该浮动栅极电极横向隔开。

5.如权利要求3所述的快闪记忆体装置，其特征在于，其中：

该第一开口的该底表面位于与包括该基板半导体层的该顶表面的一水平面距离一第一深度处；

该第二开口的该底表面位于与包括该基板半导体层的该顶表面的该水平面距离一第二深度处；及

该第二深度不同于该第一深度。

6.如权利要求1所述的快闪记忆体装置，其特征在于，其中：

该抹除栅极电极沿着一第一水平方向与该浮动栅极电极横向隔开；及

该对主动区沿着垂直于该第一水平方向的一第二水平方向彼此横向隔开。

7.一种快闪记忆体单元阵列，其特征在于，包括：

一浮动栅极电极二维阵列，在具有一第一导电类型的一掺杂的一基板半导体层内形成；

一抹除栅极电极二维阵列，在该基板半导体层内形成，并沿着一第一水平方向与该浮动栅极电极二维阵列横向偏离；

一主动区二维阵列，在该基板半导体层内形成，该主动区二维阵列具有一第二导电类型的一掺杂并且沿着不同于该第一水平方向的一第二水平方向与该浮动栅极电极二维阵列横向偏离，其中每个浮动栅极电极位于该主动区二维阵列内的一对相邻主动区之间；及

一控制栅极电极二维阵列，覆盖该浮动栅极电极二维阵列中相应一者。

8.如权利要求7所述的快闪记忆体单元阵列，其特征在于，该浮动栅极电极二维阵列、该抹除栅极电极二维阵列、该主动区二维阵列，及该控制栅极电极二维阵列中的每一者沿着该第一水平方向具有相同的一第一间距，且沿着该第二水平方向具有相同的一第二间距。

9.如权利要求8所述的快闪记忆体单元阵列，其特征在于，其中：

该快闪记忆体单元阵列包括一单位快闪记忆体单元二维周期阵列；

该单位快闪记忆体单元二维周期阵列中的每个单位快闪记忆体单元包括该浮动栅极电极二维阵列中的一浮动栅极电极、该抹除栅极电极二维阵列中的一抹除栅极电极、该主动区二维阵列中的一主动区，及该控制栅极电极二维阵列中的一控制栅极电极；及

位于沿该第二水平方向横向隔开的一对浮动栅极电极之间的每个该主动区皆接触一对穿隧介电质，该对穿隧介电质接触该对浮动栅极电极内的相应浮动栅极电极。

10.一种形成快闪记忆体装置的方法，其特征在于，包括：

在具有一第一导电类型的一掺杂的一基板半导体层中形成一第一开口；

在该第一开口中形成一穿隧介电质及一浮动栅极电极；

在该基板半导体层中形成邻近该第一开口的一第二开口；

在该第二开口中形成一抹除栅极介电质及一抹除栅极电极；

在该浮动栅极电极上方形成一控制栅极介电质及一控制栅极电极；及

通过布植具有一第二导电类型的一掺杂的掺杂剂，在该基板半导体层内形成一对主动区，其中该对主动区由该浮动栅极电极横向隔开。