[发明专利]一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法

权利要求书

1.一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面，得到上下线复合结构，所述基材面与双面粘性保护膜粘贴；

对所述上下线复合结构依次进行缩水老化、压干膜、紫外曝光、显影、蚀刻、剥膜和清洗、组装步骤。

2.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述上、下线为基材-ITO层结构或基材-ITO层-Cu层结构。

3.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，将上线和下线分别粘贴在双面粘性保护膜上下两面采用真空卷对卷滚轮贴合机进行贴合，上下滚轮压力0.6～0.8Mpa，速度1.5～2m/min，中间的保护膜宽幅较上下线ITO两边内缩单边内缩2.5～5mm。

4.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述缩水老化处理为对上下线复合结构进行缩水老化处理，使上线基材、下线基材涨缩达到稳定，ITO层完全结晶，缩水老化温度140～150℃，时间20～30min。

5.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述压干膜、紫外曝光的步骤包括：对缩水老化处理后的上下线复合材料的上下线ITO层上同时压上干膜，压干膜温度80～90℃，压干膜线速度4～5m/min，再进行紫外曝光处理，曝光能量：150～180mJ/cm²，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化。

6.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述显影为将未硬化的干膜利用显影液清洗掉，暴露ITO层，显影液采用2.5％碳酸钠溶液，显影温度30～40℃，显影线速度3～5m/min。

7.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述蚀刻为将上下线复合结构暴露出的上下线暴露出的ITO层利用蚀刻液蚀刻掉，当上、下线为基材-ITO层结构时，蚀刻液为氯化铁和王水，当上、下线为基材-ITO层-Cu层结构时，蚀刻液为5～10％硫酸铜溶液和30～35％稀硫酸溶液。

8.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述剥膜和清洗为对上下线复合结构上已经硬化的干膜进行剥膜，使上下线复合结构的基材上仅留下用于导电的ITO线路层，并进行清洗，剥膜液为40～50％乙醇胺,5～10％的乙二胺四乙酸钠，温度30～50℃，剥膜线速度3～5m/min，清洗采用去离子水清洗。

9.根据权利要求1所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，所述组装具体步骤为：将蚀刻好的上下线复合结构的上下线与双面粘性保护膜分开后，分别得到蚀刻好的上下线；对蚀刻好的上下线进行大张分切，分切后的上、下线，使用OCA光学胶进行大张贴合，贴合结构依次为上OCA光学胶层、上线、下OCA光学胶层、下线，将大张贴合好的结构分切成小片sensor，将小片sensor与FPC柔性线路板绑定，得到触控屏sensor导体，最后将上OCA光学胶层与透明盖板贴合，制得触控屏成品。

10.根据权利要求9所述的一种采用上下线预贴合结构的GFF触控屏制备方法，其特征在于，当上、下线为基材-ITO层结构时，对蚀刻好的上下线进行大张分切后，还要进行大张材料进行银胶印刷、固化，然后再进行大张贴合、组装。