[发明专利]一种OLED显示屏的制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

构造像素尺寸步骤：根据所需要的像素分辨率确定所需像素尺寸，基于像素微电极构造所需像素尺寸；

建立三电极体系步骤：由工作电极搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，所述工作电极为超微电极阵列；

电聚合薄膜步骤：在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，在所述TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜；

制备电子传输层及电极层步骤：使用蒸镀法制备电子传输层及电极层，进而制备得到OLED器件；

封装步骤：对制备后的OLED器件进行封装得到所需分辨率的OLED显示屏。

2.根据权利要求1所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述像素微电极的尺寸小于25微米。

3.根据权利要求1所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述建立三电极体系步骤，具体为：以超微电极阵列作为工作电极，搭配参比电极和辅助电极建立三电极体系，将超微电极阵列置于电化学活性前体溶液中并加入支持电解质，通过电化学工作站装置输出电沉积信号，其中电沉积信号采用循环三角波信号。

4.根据权利要求3所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述电聚合薄膜步骤，具体包括以下步骤：

当电解池回路处于通电状态，基于电沉积信号在超微电极阵列基板的所有像素电极上沉积得到阵列薄膜：

在超微电极阵列基板上电聚合TCTA有机薄膜形成TCTA聚合薄膜，将TCTA聚合薄膜作为空穴注入层：将电活性单体TCTA溶解在包含溶剂的电解液中，以超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为Ag/Ag⁺电极，辅助电极为金属钛板，通过循环伏安法控制电聚合TCTA反应；

在TCTA聚合薄膜上电聚合OCBzC有机薄膜，将OCBzC有机薄膜作为发光层：将电活性单体OCBzC溶解在电解液中，以沉积有TCTA薄膜的超微电极阵列基板上的所有像素电极作为工作电极，参比电极为Ag/Ag⁺电极，辅助电极为金属钛板，通过循环伏安法控制电聚合OCBzC反应；

调控薄膜结构状态：通过聚合条件进行调控薄膜的质量厚度平整度掺杂态，所述聚合条件包括波形、扫描范围、扫描速度、溶剂体系、溶液浓度、支持电解质、扫描圈数；

薄膜沉积后处理：当电沉积结束后，通过溶剂进行清洗未发生电聚合的电活性和支持电解质。

5.根据权利要求4所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述溶剂采用乙腈、二氯甲烷、聚碳酸酯、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙醇、氯苯、三氟硼酸乙醚中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述支持电解质为0.1mol L^-1的四丁基六氟磷酸铵。

7.根据权利要求1所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述制备电子传输层及电极层步骤，具体包括以下步骤：

将清洗后的超微电极阵列薄膜放置在25摄氏度、100千帕、真空条件下进行烘干；

烘干后，在低于3×10^-4帕的真空条件下，蒸镀1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯作为电子传输层以及氟化铯和金属铝作为OLED器件的阴极，得到OLED器件的各个膜层结构依次为：氧化铟锡、TCTA、OCBzC、苯、氟化铯、铝。

8.根据权利要求7所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述OLED器件的氧化铟锡、氟化铯和铝厚度分别为35nm、1nm和120nm。

9.根据权利要求1-8任一所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述基于像素微电极构造所需像素尺寸，具体为：将预设数量的像素微电极按阵列相连形成平行的条带结构，并排布形成一个像素基元，将多个像素基元按照相等间隔进行排列，所述像素基元的尺寸为所述所需像素尺寸。

10.根据权利要求9所述的OLED显示屏的制备方法，其特征在于，所述像素微电极采用尺寸为4μm×12μm的像素微电极。