[发明专利]一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件

权利要求书

1.一种复合薄膜切割方法，初始复合薄膜经切割成为符合预期尺寸的复合薄膜，所述复合薄膜由上至下依次包括薄膜层以及衬底层，所述衬底层由衬底晶圆构成；所述复合薄膜以及所述初始复合薄膜的结构一致；其特征在于，所述方法包括：

根据所述衬底晶圆的解理结构，确定所述衬底晶圆的解理方向以及垂直于所述解理方向的垂直方向；

根据复合薄膜的预期尺寸，在所述衬底晶圆上形成至少两个与所述解理方向平行的第一缺口；任意相邻两个第一缺口之间的间距离为所述复合薄膜的长度；

沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；所述薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；

根据所述规范尺寸，在所述解理切割面上形成至少两个与所述垂直方向平行的第二缺口；任意相邻两个第二缺口之间的间距离为所述复合薄膜的宽度；

沿着所述第二缺口方向对分裂后的复合薄膜进行切割，形成第二切割面。

2.根据权利要求1所述的复合薄膜切割方法，其特征在于，形成第二切割面，之后，还包括：

对所述第二切割面进行抛光处理。

3.根据权利要求1所述的复合薄膜切割方法，其特征在于，沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面，包括：

利用滚轮沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面。

4.根据权利要求1所述的复合薄膜切割方法，其特征在于，沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面，包括：

利用吸盘吸住所述初始复合薄膜中第一缺口两侧中的任意一侧，沿着所述第一缺口，拉动所述初始复合薄膜中第一缺口的另一侧，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面。

5.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜采用权1至权4中的任意一种方法制备，所述复合薄膜从上至下依次包括：薄膜层以及衬底层；

所述衬底层包括解理切割面；

所述薄膜层为单晶结构；

所述薄膜层的边缘损伤小于或等于0.5μm。

6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述薄膜层的材质为铌酸锂、钽酸锂、石英、砷化镓或四硼酸锂中的任意一种；所述衬底层的材质为硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅、金刚石以及氧化镓中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述衬底层以及所述薄膜层之间还包括中间层；所述中间层为单层或多层结构。

8.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述薄膜层的厚度小于所述衬底层的厚度。

9.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括所述权5至权8中的任意一种复合薄膜。