[发明专利]一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构

权利要求书

1.一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的绝缘层，设置在绝缘层上的传感器电路层，所述绝缘层由氧化铝以不同工艺分次逐层淀积构成。

2.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述粘接层为在金属基底上淀积的厚5～50nm的金属钛层或金属铬层。

3.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述绝缘层为三层氧化铝分次逐层淀积构成,在绝缘层及传感器电路层上设置或不设置保护层。

4.根据权利要求3所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述绝缘层的第一层为通过电子束蒸发在粘接层上淀积的厚0.2～5 um的一层氧化铝。

5.根据权利要求3所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述绝缘层的第二层为通过原子层堆积在第一层上淀积的厚10～500 nm 的一层氧化铝。

6.根据权利要求3所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述绝缘层的第三层为通过电子束蒸发在第二层上淀积的厚0.2～5 um的一层氧化铝。

7.根据权利要求3所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层包括第一保护层，第一保护层为通过电子束蒸发在绝缘层的第三层上淀积的厚0.2～5 um的一层氧化铝，第一保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

8.根据权利要求7所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层还包括第二保护层，第二保护层为通过原子层堆积在第一保护层上淀积的厚10～500 nm的一层氧化铝，第二保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

9.根据权利要求8所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层还包括第三保护层，第三保护层为通过电子束蒸发在第二保护层上淀积的厚0.2～5um的一层氧化铝，第三保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

10.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于，制备步骤如下：

步骤一、将金属基底通过丙酮、异丙醇和去离子水清洗，氮气吹干，完成基底准备；

步骤二、通过溅射工艺在金属基底上淀积一层5～50nm的金属钛层，用于提高后续绝缘层与金属基底之间的粘接性；

步骤三、通过电子束蒸发工艺在金属钛层上淀积一层0.2～5 um的氧化铝绝缘层；

步骤四、通过原子层堆积工艺在上步淀积的氧化铝绝缘层上淀积一层10～500 nm的氧化铝绝缘层；

步骤五、通过电子束蒸发工艺在步骤四的绝缘层上淀积一层0.2～5 um的氧化铝绝缘层；

步骤六、通过光刻、溅射、剥离工艺在氧化铝绝缘层上淀积传感器电路层；

步骤七、借助金属掩膜版，通过电子束蒸发工艺在除传感器电路层焊盘外的区域上，淀积一层0.2～5 um的氧化铝保护层；

步骤八、借助金属掩膜版，通过原子层堆积工艺在上步淀积的氧化铝保护层上淀积一层10～500 nm的氧化铝保护层，传感器电路的焊盘应裸露出来，不被保护层覆盖；

步骤九、借助金属掩膜版，通过电子束蒸发工艺在步骤八保护层上淀积一层0.2～5 um的氧化铝保护层，传感器电路的焊盘应裸露出来，不被氧化铝保护层覆盖。