[发明专利]一种检测MOS管DS电压实现短路保护的电路及其方法在审
| 申请号: | 202110140176.7 | 申请日: | 2021-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN112952767A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
| 发明(设计)人: | 黎元杰;罗朋;吴国红;闻佳怡;周盼 | 申请(专利权)人: | 上海技涵电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;G01R31/52 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201700 上海市青浦区徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 检测 mos ds 电压 实现 短路 保护 电路 及其 方法 | ||
1.一种检测MOS管DS电压实现短路保护的电路,其特征在于:包括MCU,所述MCU具有采样口一、采样口二和电压输出口IO;
其中采样口一AD_VIN依次串联电阻R4、电阻R3后与电源VIN的输入端连接,所述电阻R4和电阻R3之间连接有电阻R5后接入地端;
采样口二AD_OUT依次串联电阻R9、电阻R7后与MOS管的D极连接;所述电阻R9、电阻R7之间连接电阻Rs后接入地端;所述采样口二与电阻R9之间连接电容Cs后接入地端;
所述电压输出口IO与MOS管的G端连接,所述电源VIN连接电阻R1一端、MOS管S极和电阻R2一端;所述电阻R1另一端连接MOS管的G端;所述电阻R2的另一端串联电容C1后与MOS管的D极连接;所述电阻R7与MOS管的D极之间为VOUT输出口,且所述VOUT输出口通过电阻R6与地端连接。
2.一种检测MOS管DS电压实现短路保护的方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1、判断短路,首先,程序初始化时MCU启动电压采样;然后进入循环执行阶段,等待电压采样完成,并读取电压采样结果;MCU识别上次循环时的采样端口,如果是D端,则采样通道切换到S端,如果是S端,则采样通道切换到D端,循环对D端、S端进行采样;根据采集的D端、S端电压差与设定的短路判断电压进行比较,电压差大于短路判断电压则判断为短路并对短路次数进行加1计数,否则短路次数计数清零,并重复执行步骤S1;
当短路计数次数大于等于5时,MCU控制电压输出口IO电压关闭MOS管,并跳转执行步骤S2,否则短路计数次数清零并重复执行步骤S1;
S2、防误判操作,当MCU因检测到短路关闭MOS管,会在一定时间后控制电压输出口IO电压来恢复MOS管工作,并重复执行步骤S1。
3.根据权利要求2所述的一种检测MOS管DS电压实现短路保护的方法,其特征在于:上述步骤S2中所述的一定时间设定为50ms。
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