[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

鳍；以及

栅极结构，设置在第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件之间的所述鳍上方，其中，所述栅极结构包括：

栅电极，

栅极电介质，以及

栅极空气间隔件，设置在所述栅极电介质和所述栅电极的侧壁之间。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述栅极结构沿所述栅电极的侧壁没有栅极介电间隔件。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述栅极空气间隔件设置在所述栅极电介质和所述栅电极的所述侧壁的第一部分之间，所述晶体管还包括设置在所述栅极电介质和所述栅电极的所述侧壁的第二部分之间的栅极空气间隔密封件，其中，所述栅电极的所述侧壁的所述第二部分设置在所述栅电极的所述侧壁的所述第一部分上方。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述栅极空气间隔密封件还设置在所述栅电极的顶面上方。

5.根据权利要求3所述的晶体管，还包括穿过所述栅极空气间隔密封件延伸至所述栅电极的栅极接触件。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，相对于所述鳍的顶面，所述栅极电介质的顶面高于所述栅电极的顶面。

7.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：介电层，设置在所述鳍、所述第一外延源极/漏极部件和所述第二外延源极/漏极部件上方，其中，所述介电层物理接触所述栅极电介质的侧壁。

8.根据权利要求7所述的晶体管，其中，所述介电层包括设置在接触蚀刻停止层上方的层间介电层。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，所述接触蚀刻停止层的第一部分设置在所述栅极电介质和所述第一外延源极/漏极部件之间并且物理接触所述栅极电介质和所述第一外延源极/漏极部件，并且所述接触蚀刻停止层的第二部分设置在所述栅极电介质和所述第二外延源极/漏极部件之间并且物理接触所述栅极电介质和所述第二外延源极/漏极部件。

10.一种晶体管，包括：

鳍；

第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件，所述第一外延源极/漏极部件设置在所述鳍的第一源极/漏极区域中，并且所述第二外延源极/漏极部件设置在所述鳍的第二源极/漏极区域中；

栅极结构，设置在所述第一外延源极/漏极部件和所述第二外延源极/漏极部件之间的所述鳍上方，其中，所述栅极结构包括：

栅电极，

栅极电介质，

栅极空气间隔密封件，

第一栅极空气间隔件，限制在所述栅极电介质、所述栅电极的第一侧壁和所述栅极空气间隔密封件之间，以及

第二栅极空气间隔件，限制在所述栅极电介质、所述栅电极的第二侧壁和所述栅极空气间隔密封件之间；以及

栅极接触件，穿过所述栅极空气间隔密封件延伸至所述栅电极。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中：

所述栅极结构的第一边缘和第二边缘由所述栅极电介质限定；

所述第一边缘与所述第一外延源极/漏极部件的第一源极/漏极尖端基本垂直对准；并且

所述第二边缘与所述第二外延源极/漏极部件的第二源极/漏极尖端基本垂直对准。

12.根据权利要求10所述的晶体管，其中：

所述第一栅极空气间隔件和所述第二栅极空气间隔件具有第一厚度；

所述栅电极具有第二厚度；并且

所述第一厚度小于所述第二厚度，从而使得所述第一栅极空气间隔件设置为沿所述栅电极的所述第一侧壁的部分，并且所述第二栅极空气间隔件设置为沿所述栅电极的所述第二侧壁的部分。