[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202110100677.2 | 申请日: | 2016-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN112768428A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 田中义浩 | 申请(专利权)人: | 安靠科技日本公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址: | 日本大分*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体组件,其具有第一中央部分和第一边缘部分;
岛部,其具有表面,所述半导体组件利用第一金属被固定在所述表面上;及
第一图案,所述第一图案由第二金属构成,所述第一图案被配置在所述表面的一个部分上,
其中:
在所述第一金属熔融时,所述第一金属对于所述第二金属的亲和性比所述表面的亲和性还大;
所述第一图案包括矩形,所述第一图案具有第二中央部分和第二边缘部分;
所述第一中央部分和所述第二中央部分重叠;及
所述第一边缘部分邻近所述第二边缘部分但是从所述第二边缘部分偏移。
2.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第一边缘部分从所述第二边缘部分向内偏移。
3.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第一金属包括焊料;及
所述第二金属包括银。
4.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第二金属包括镀覆的金属。
5.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第一图案防止所述第一金属实质地向所述第一图案之外扩散。
6.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第一金属包括中心位于所述第一图案上方的第二图案。
7.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述岛部进一步包括槽;及
所述第二金属与所述槽重叠。
8.如权利要求1的半导体装置,其特征在于:
所述第一金属包括第二图案;及
所述第二图案、所述第一图案及所述半导体组件彼此中心对准。
9.一种半导体装置,包括:
岛部,其具有表面;
第一图案,其设置在所述表面的一部分的顶部上;
第一金属,其设置在所述第一图案上以提供上覆于所述第一图案的第二图案;及
半导体组件,其固定于子图案,其中:
所述第一图案包括第二金属,所述第二金属对于所述第一金属的润湿特性大于所述表面的润湿特性;及
所述第二图案中心对准于所述第一图案。
10.如权利要求9的半导体装置,其特征在于:
所述第一图案包括凹形状;
所述第二图案仅覆盖在所述第一图案的一部分上;
所述第一金属是焊料;及
所述第二金属是银。
11.如权利要求9的半导体装置,其特征在于:
所述第一图案包括镀覆的金属;及
所述半导体组件包括角部区域,所述角部区域在顶部平面视角中直接覆盖在所述第二图案和所述第一图案上。
12.如权利要求9的半导体装置,其特征在于:
所述岛部进一步包括从所述表面向内延伸的槽;及
所述第二图案的至少一部分与所述槽重叠。
13.如权利要求9的半导体装置,其特征在于:
所述第一图案包括没有间隙的连续图案。
14.一种半导体装置,包括:
岛部,其具有表面;
第一图案,其设置在所述表面的一部分的顶部上;
第一材料,其设置在所述第一图案上以提供上覆于所述第一图案的第二图案;及
半导体组件,其固定于所述第二图案,其中:
所述第一图案包括第一金属,所述第一金属对于所述第一材料的润湿特性大于所述表面的润湿特性;及
所述半导体组件和所述第二图案中心位于所述第一图案上方。
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