[发明专利]一种用于光耦隔离放大器的恒流产生电路及电流精度修调方法有效

专利信息
申请号: 202110099542.9 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112882527B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 潘俊;邱雷;李典武;季芬芬;王威;韩磊;王科 申请(专利权)人: 合肥艾创微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 娄岳
地址: 231200 安徽省合肥市肥西县桃花工*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 隔离放大器 流产 电路 电流 精度 方法
【权利要求书】:

1.一种用于光耦隔离放大器的恒流产生电路,其特征在于,包括集成于同一衬底基片上的:

启动电路(1),该启动电路能够产生并输出第一启动电流和第二启动电流;

电流产生电路,该电流产生电路包括与第一启动电流输出端连接的负温度变化率电流产生电路(21)和与第二启动电流输出端连接的正温度变化率电流产生电路(22);以及

精度修调及输出电路(3),该精度修调及输出电路用于对电流产生电路输出的两个电流通过比例精度调节后输出符合光耦隔离放大器应用要求的恒定电流;

所述启动电路(1)包括依次连接电源的二极管D1、电阻R1、二极管D2,所述二极管D1的正极连接电源的输出端、负极连接电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端连接二极管的D2的负极,所述二极管D2的正极分别通过电阻R2、R3引出第一启动电流输出端和第二启动电流输出端;

所述负温度变化率电流产生电路(21)包括相互连接的三极管Q1、Q2、Q3、Q4,所述三极管Q1的漏极连接电阻R2并与自身栅极连接、源极与三极管Q2的漏极以及三极管Q3的栅极连接,所述三极管Q2的源极接地并通过电阻R4与三极管Q3的源极连接、栅极与三极管Q4的源极连接,所述三极管Q3的漏极与三级管Q4的源极连接,所述三极管Q4的栅极与三极管Q1的栅极连接、漏极与精度修调及输出电路的输入端连接;

所述正温度变化率电流产生电路(22)包括相互连接的三极管Q5、Q6、Q7、Q8,所述三极管Q5的漏极连接电阻R3并与自身栅极连接、源极与三极管Q6的漏极以及三极管Q7的栅极连接,所述三极管Q6的源极与三极管Q2和电阻R4的中间位置连接并通过电阻R5与三极管Q7的源极连接、栅极与三极管Q8的源极连接,所述三极管Q7的漏极与三级管Q8的源极连接,所述三极管Q8的栅极与三极管Q5的栅极连接、漏极与精度修调及输出电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于光耦隔离放大器的恒流产生电路,其特征在于,所述精度修调及输出电路(3)包括三极管Q9、Q10,所述三极管Q9的源极与所述电源的输出端以及三极管Q10的源极连接、漏极连接电流产生电路的输出端并与自身栅极连接、栅极与三极管Q10的栅极连接,所述三极管Q10的漏极为恒定电流的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种用于光耦隔离放大器的恒流产生电路,其特征在于,所述电阻R1、R2、R3、R4均为半导体集成电路工艺中的离子注入类型电阻,所述电阻R5为半导体集成电路工艺中的扩散注入类型电阻,且所述电阻R4的温度系数大于半导体集成电路工艺热电压的温度系数,所述电阻R5的温度系数小于半导体集成电路工艺热电压的温度系数。

4.一种基于上述权利要求1-3任一所述用于光耦隔离放大器的恒流产生电路的精度修调方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、计算出电流产生电路输出的电流,该电流的计算公式为:

其中:I1为负温度系数电流产生电路的输出电流,I2为正温度系数电流产生电路的输出电流,I3为电流产生电路输出的电流,电流I3的温度系数,为电阻R4的温度系数,为电阻R5的温度系数,TCvt为半导体集成电路工艺热电压Vt的温度系数;

步骤二、电流I3通过精度修调电路,该输出电流的计算公式为:

其中:为三级管Q9的发射区面积,为三级管Q10的发射区面积。

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