[发明专利]电容结构的制备方法、电容结构及存储器

权利要求书

1.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

在第一电极上形成介电层；

其中，所述介电层包括堆叠设置的第一无定形层和高介电常数层，所述第一无定形层退火后保持无定形结构，所述高介电常数层由初始介电常数层退火后结晶形成；

在所述介电层上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，在第一电极上形成介电层的步骤包括：

在所述第一电极上形成第一无定形层；

在所述第一无定形层上形成初始介电常数层；

对所述第一无定形层和所述初始介电常数层进行退火处理；其中，所述第一无定形层退火后保持无定形结构，所述初始介电常数层退火后形成高介电常数层；

在所述高介电常数层上形成第二无定形层。

3.根据权利要求2所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第二无定形层的材质包括氧化硅、氧化铝、硅的质量浓度为10％-50％的硅酸铪或者铝的质量浓度为10％-50％的钛酸铝，所述第二无定形层的厚度为0.5nm-5nm。

4.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，在第一电极上形成介电层的步骤包括：

在所述第一电极上形成第一无定形层；

在所述第一无定形层上形成初始介电常数层；

在所述初始介电常数层上形成第二无定形层；

对所述第一无定形层、所述初始介电常数层和所述第二无定形层进行退火处理；其中，所述第一无定形层和所述第二无定形层退火后均保持无定形结构，所述初始介电常数层退火后形成高介电常数层。

5.根据权利要求4所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第二无定形层的材质包括硅的质量浓度为10％-50％的硅酸铪或者铝的质量浓度为10％-50％的钛酸铝，所述第二无定形层的厚度为0.5nm-5nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第一无定形层的材质包括硅酸铪或者钛酸铝。

7.根据权利要求6所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述硅酸铪中硅的质量浓度为10％-50％，所述钛酸铝中铝的质量浓度为10％-50％。

8.根据权利要求7所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第一无定形层的厚度为0.5nm-5nm。

9.根据权利要求1-5任一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述初始介电常数层的材质包括掺杂硅的氧化铪、掺杂硅的氧化锆或者钛酸锶。

10.根据权利要求9所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂硅的氧化铪和所述掺杂硅的氧化锆中硅的质量浓度均小于或者等于10％。

11.根据权利要求1-5任一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述初始介电常数层的厚度为1nm-10nm。

12.根据权利要求1-5任一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200℃-600℃，所述退火处理的时间为10s-600s。

13.根据权利要求2-5任一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述第一无定形层和所述第二无定形层的介电常数为20-50，所述高介电常数层的介电常数为40-300。