[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

金属栅极结构(MG)，设置在半导体衬底上方；

第一栅极间隔件，设置在所述金属栅极结构的第一侧壁上；

第二栅极间隔件，设置在所述金属栅极结构的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上，其中，所述第二栅极间隔件比所述第一栅极间隔件短；

源极/漏极(S/D)接触件(MD)，设置为与所述金属栅极结构相邻，其中，所述源极/漏极接触件的侧壁由所述第二栅极间隔件限定；以及

接触部件，配置为将所述金属栅极结构电连接至所述源极/漏极接触件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二栅极间隔件的顶面在所述源极/漏极接触件的顶面或所述金属栅极结构的顶面下方。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二栅极间隔件的顶面与所述源极/漏极接触件的顶面或所述金属栅极结构的顶面齐平。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述接触部件的侧壁与所述第一栅极间隔件对准。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括设置在所述金属栅极结构上方的层间介电(ILD)层，其中，所述接触部件的顶部设置在所述层间介电层中。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括设置在所述层间介电层上方的导电层和设置在所述层间介电层中的介电层，其中，所述介电层的侧壁与所述接触部件的侧壁连续。

7.一种半导体结构，包括：

金属栅极结构，设置在半导体衬底上方；

源极/漏极(S/D)部件，设置为与所述金属栅极结构相邻；

源极/漏极接触件(MD)，设置在所述源极/漏极部件上；以及

导电部件，配置为与所述金属栅极结构和所述源极/漏极接触件接触，其中，所述导电部件的底部嵌入在所述金属栅极结构的侧壁和所述源极/漏极接触件的侧壁之间。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电部件的所述底部与所述半导体衬底接触。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：栅极间隔件，设置在所述金属栅极结构的侧壁与所述源极/漏极接触件的侧壁之间，使得所述导电部件的所述底部与所述栅极间隔件的顶面接触。

10.一种制造半导体结构的方法，包括：

形成半导体器件，所述半导体器件包括设置在半导体层上方的金属栅极结构(MG)、设置在所述金属栅极结构的侧壁上的栅极间隔件以及设置在所述半导体层中并且与所述金属栅极结构相邻的源极/漏极(S/D)部件；

在所述源极/漏极部件上方形成源极/漏极(S/D)接触件(MD)，其中，所述栅极间隔件将所述源极/漏极接触件与所述金属栅极结构分隔开；

在所述金属栅极结构和所述源极/漏极接触件上方形成层间介电(ILD)层；

形成开口以暴露所述金属栅极结构、所述源极/漏极接触件和所述栅极间隔件；

去除暴露于所述开口中的所述栅极间隔件的顶部；

在所述栅极间隔件的剩余部分上方形成金属层；以及

平坦化所述金属层以形成接触部件，使得所述接触部件将所述金属栅极结构电耦合至所述源极/漏极接触件。