[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构包括：

第一半导体层；

第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；

第一支撑结构，所述第一支撑结构贯穿所述第二半导体层，且所述第一支撑结构的位置与底部选择栅切槽和/或顶部选择栅切槽的位置相对应；

栅堆叠结构，设置于所述第二半导体层上；

垂直沟道结构，所述垂直沟道结构包括贯穿所述栅堆叠结构和所述第一支撑结构至所述第一半导体层内的第一垂直沟道结构。

2.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括第三半导体层，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述栅堆叠结构之间，所述第一支撑结构贯穿所述第三半导体层和所述第二半导体层。

3.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，在第二方向上，所述第一支撑结构的宽度大于所述垂直沟道结构的底部尺寸。

4.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，在第二方向上，相间两行的所述垂直沟道结构的底部中心间距大于所述第一支撑结构的宽度。

5.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述栅堆叠结构包括底选择栅堆叠结构和存储栅堆叠结构，所述第一支撑结构依次贯穿所述底选择栅堆叠结构和所述第二半导体层。

6.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述垂直沟道结构还包括贯穿所述栅堆叠结构至所述第二半导体层内的第二垂直沟道结构。

7.根据权利要求6所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第二垂直沟道结构的沟道层的底端面和侧端面均与所述第二半导体层接触。

8.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第一支撑结构为沿第一方向延伸设置的连续结构或者非连续结构。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构还包括栅缝隙结构和第二支撑结构；所述第二支撑结构贯穿所述第二半导体层，且所述栅缝隙结构依次贯穿所述栅堆叠结构和所述第二支撑结构。

10.根据权利要求9所述的三维存储器结构，其特征在于，在第二方向上，所述第二支撑结构的宽度大于所述栅缝隙结构的底部宽度。

11.根据权利要求9所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第二支撑结构依次贯穿第三半导体层和所述第二半导体层，其中，所述第三半导体层位于所述第二半导体层与所述栅堆叠结构之间。

12.根据权利要求9所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第一支撑结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝；所述第二支撑结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝。

13.根据权利要求9所述的三维存储器结构，其特征在于，所述第二支撑结构包括沿第一方向间隔设置的若干第二子支撑结构。

14.根据权利要求13所述的三维存储器结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二子支撑结构的长度大于所述垂直沟道结构的底部尺寸。

15.根据权利要求13所述的三维存储器结构，其特征在于，在所述第一方向上，相邻两个所述第二子支撑结构之间的间距大于所述垂直沟道结构的底部尺寸而小于相间设置的两列所述垂直沟道结构的中心距。