[发明专利]空间高效且低寄生的半桥

权利要求书

1.一种半桥电路，包括：

载体，包括介电芯和形成在所述载体的上表面上的第一金属化层；

第一半导体芯片和第二半导体芯片，每个半导体芯片包括第一端子、第二端子和控制端子；以及

导电连接器，安装在所述载体的所述上表面上并且电连接到所述第一金属化层；

其中，所述第一半导体芯片被配置为所述半桥电路的高侧开关，

其中，所述第二半导体芯片被配置为所述半桥电路的低侧开关，

其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个被嵌入在所述载体的所述介电芯内，并且

其中，所述导电连接器电连接到来自分立的第一半导体开关器件和第二半导体开关器件中的一个或两个的第一端子和第二端子中的一个。

2.根据权利要求1所述的半桥电路，其中，所述半桥电路还包括驱动器芯片，所述驱动器芯片电连接到所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的控制端子，并且其中，所述驱动器芯片设置在所述载体上或所述载体内。

3.根据权利要求2所述的半桥电路，其中，所述驱动器芯片安装在所述载体的所述上表面上。

4.根据权利要求2所述的半桥电路，其中，所述驱动器芯片嵌入在所述载体的所述介电芯内。

5.根据权利要求1所述的半桥电路，其中，所述半桥电路还包括无源电组件，所述无源电组件电连接到所述高侧开关和所述低侧开关中的一个或两个，并且其中，所述无源电组件设置在所述载体上或所述载体内。

6.根据权利要求1所述的半桥电路，其中，所述第二半导体芯片嵌入在所述载体的所述介电芯内，其中，所述第二半导体芯片的第一端子设置在所述第二半导体芯片的面向所述载体的所述上表面的后表面上，并且其中，所述第二半导体芯片的第一端子电连接到形成在所述第一金属化层中的第一接合焊盘。

7.根据权利要求6所述的半桥电路，其中，所述第一半导体芯片在所述第二半导体芯片的正上方和所述第一接合焊盘的正上方安装在所述载体的所述上表面上，其中，所述第一半导体芯片的第二端子设置在所述第一半导体芯片的面向所述载体的所述上表面的主表面上，并且其中，所述第一半导体芯片的第二端子电连接到所述第一接合焊盘。

8.根据权利要求7所述的半桥电路，其中，所述第一半导体芯片的第一端子设置在所述第一半导体芯片的背对所述载体的所述上表面的后表面上，其中，所述导电连接器电连接到所述第一半导体芯片的第一端子和形成在所述第一金属化层中的第二接合焊盘，并且其中，所述第二接合焊盘被配置为所述半桥电路的功率端子。

9.根据权利要求8所述的半桥电路，其中，所述导电连接器是金属夹，所述金属夹通过导电粘合材料固定到所述第一半导体芯片和所述第二接合焊盘。

10.根据权利要求9所述的半桥电路，其中，所述载体还包括第三接合焊盘和第四接合焊盘，所述第三接合焊盘和所述第四接合焊盘各自形成在所述第一金属化层中，其中，所述第三接合焊盘和所述第四接合焊盘各自被配置为所述半桥电路的功率端子，其中，所述金属夹包括第一翼部、第二翼部和第三翼部，所述第一翼部跨所述第一半导体芯片的第一边缘侧延伸并到达所述第二接合焊盘，所述第二翼部跨所述第一半导体芯片的第二边缘侧延伸并到达所述第三接合焊盘，所述第三翼部跨所述第一半导体芯片的第三边缘侧延伸并到达所述第四接合焊盘。

11.根据权利要求8所述的半桥电路，还包括电绝缘封装体，所述电绝缘封装体形成在所述载体的上表面上，其中，所述封装体封装所述第一半导体芯片，并且其中，所述金属夹的上表面从所述封装体的上表面暴露。