[发明专利]一种环形振荡器

权利要求书

1.一种环形振荡器，其特征在于包括第一延时单元、第二延时单元和缓冲单元，所述的第一延时单元具有输入端、衬底端和输出端，所述的第二延时单元具有输入端、第一输出端和第二输出端，所述的第一延时单元的输出端与所述的第二延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第一输出端与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的缓冲单元的输入端与所述的第二延时单元的第一输出端或与所述的第一延时单元的输入端连接，所述的第二延时单元的第二输出端和所述的第一延时单元的衬底端连接，所述的第一延时单元用于降低所述的环形振荡器的起振电压，所述的第二延时单元用于提高所述的环形振荡器的起振响应速度，所述的缓冲单元用于改善所述的环形振荡器的输出波形，所述的第一延时单元的输入端为所述的环形振荡器的输入端，所述的缓冲单元的输出端为所述的环形振荡器的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种环形振荡器，其特征在于所述的第一延时单元包括5个反相器INV1～INV5，所述的第二延时单元包括18个反相器INV6～INV23，所述的缓冲单元包括两个反相器INV24和INV25，所述的5个反相器INV1～INV5均为叠层反相器，且依次级联在一起，所述的18个反相器INV6～INV23均为标准反相器，且依次级联在一起，所述的两个反相器INV24和INV25均为标准反相器，且级联在一起。

3.根据权利要求2所述的一种环形振荡器，其特征在于所述的叠层反相器INV1包括7个标准反相器INV1-1～INV1-7，所述的标准反相器INV1-1包括PMOS管M1和NMOS管M2，所述的标准反相器INV1-2包括PMOS管M3和NMOS管M4，所述的标准反相器INV1-3包括PMOS管M5和NMOS管M6，所述的标准反相器INV1-4包括PMOS管M7和NMOS管M8，所述的标准反相器INV1-5包括PMOS管M9和NMOS管M10，所述的标准反相器INV1-6包括PMOS管M11和NMOS管M12，所述的标准反相器INV1-7包括PMOS管M13和NMOS管M14，所述的PMOS管M1的栅极和所述的NMOS管M2的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-1的输入端，所述的PMOS管M1的漏极与所述的NMOS管M2的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-1的输出端，所述的PMOS管M1的源极为所述的标准反相器INV1-1的电源端，所述的NMOS管M2的源极为所述的标准反相器INV1-1的接地端；所述的PMOS管M3的栅极和所述的NMOS管M4的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-2 的输入端，所述的PMOS管M3的漏极与所述的NMOS管M4的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-2的输出端，所述的PMOS管M3的源极为所述的标准反相器INV1-2的电源端，所述的NMOS管M4的源极为所述的标准反相器INV1-2的接地端；所述的PMOS管M5的栅极和所述的NMOS管M6的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-3的输入端，所述的PMOS管M5的漏极与所述的NMOS管M6的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-3的输出端，所述的PMOS管M5的源极为所述的标准反相器INV1-3的电源端，所述的NMOS管M6的源极为所述的标准反相器INV1-3的接地端；所述的PMOS管M7的栅极和所述的NMOS管M8的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-4的输入端，所述的PMOS管M7的漏极与所述的NMOS管M8的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-4的输出端，所述的PMOS管M7的源极为所述的标准反相器INV1-4的电源端，所述的NMOS管M8的源极为所述的标准反相器INV1-4的接地端；所述的PMOS管M9的栅极和所述的NMOS管M10的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-5的输入端，所述的PMOS管M9的漏极与所述的NMOS管M10的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-5的输出端，所述的PMOS管M9的源极为所述的标准反相器INV1-5的电源端，所述的NMOS管M10的源极为所述的标准反相器INV1-5的接地端；所述的PMOS管M11的栅极和所述的NMOS管M12的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-6的输入端，所述的PMOS管M11的漏极与所述的NMOS管M12的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-6的输出端，所述的PMOS管M11的源极为所述的标准反相器INV1-6的电源端，所述的NMOS管M12的源极为所述的标准反相器INV1-6的接地端；所述的PMOS管M13的栅极和所述的NMOS管M14的栅极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-7的输入端，所述的PMOS管M13的漏极与所述的NMOS管M14的漏极连接且其连接端作为所述的标准反相器INV1-7的输出端，所述的PMOS管M13的源极为所述的标准反相器INV1-7的电源端，所述的NMOS管M14的源极为所述的标准反相器INV1-7的接地端，所述的PMOS管M13的衬底和所述的NMOS管M14的衬底连接。所述的标准反相器INV1-1的电源端、所述的标准反相器INV1-3的电源端、所述的标准反相器INV1-4的电源端和所述的标准反相器INV1-6的电源端分别接入电源电压，所述的标准反相器INV1-1的接地端、所述的标准反相器INV1-3的接地端、所述的标准反相器INV1-4的接地端和所述的标准反相器INV1-6的接地端分别接地；所述的标准反相器INV1-1的输入端、所述的标准反相器INV1-2的输入端、所述的标准反相器INV1-3的输入端、所述的标准反相器INV1-4的输入端、所述的标准反相器INV1-5的输入端、所述的标准反相器INV1-6的输入端和所述的标准反相器INV1-7的输入端连接且其连接端为所述的叠层反相器INV1的输入端，所述的标准反相器INV1-1的输出端和所述的标准反相器INV1-2的电源端连接，所述的标准反相器INV1-2的输出端和所述的标准反相器INV1-7的电源端连接，所述的标准反相器INV1-2的接地端和所述的标准反相器INV1-3的输出端连接，所述的标准反相器INV1-4的输出端和所述的标准反相器INV1-5的电源端连接，所述的标准反相器INV1-5的输出端和所述的标准反相器INV1-7的接地端连接，所述的标准反相器INV1-5的接地端和所述的标准反相器INV1-6的输出端连接，所述的标准反相器INV1-7的输出端为所述的叠层反相器INV1的输出端，所述的标准反相器INV1-7的衬底端为所述的叠层反相器INV1的衬底端；所述的叠层反相器INV2～INV5的电路结构分别与所述的叠层反相器INV1的电路结构完全相同，所述的叠层反相器INV1的输入端作为所述的第一延时单元的输入端，所述的叠层反相器INV1的输出端与所述的叠层反相器INV2的输入端连接，所述的叠层反相器INV1的衬底端与所述的叠层反相器INV2的输出端连接，所述的叠层反相器INV2的输出端与所述的叠层反相器INV3的输入端连接，所述的叠层反相器INV2的衬底端与所述的叠层反相器INV3的输出端连接，所述的叠层反相器INV3的输出端与所述的叠层反相器INV4的输入端连接，所述的叠层反相器INV3的衬底端与所述的叠层反相器INV4的输出端连接，所述的叠层反相器INV4的输出端与所述的叠层反相器INV5的输入端连接，所述的叠层反相器INV4的衬底端与所述的叠层反相器INV5的输出端连接且其连接端为所述的第一延时单元的输出端，所述的叠层反相器INV5的衬底端作为所述的第一延时单元的衬底端。