[发明专利]一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式

权利要求书

1.一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：包括以下步骤，

a、干细胞培养皿，消毒处理，经高频振荡清洗；

b、干细胞培养皿稳态放置，去水平条件下的立体最大径，订制银靶，将基底材料(干细胞培养皿)置入银靶；

c、通过电磁溅射，对目标物银靶轰击，在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝，清理真空室，把基底材料(干细胞培养皿)放置于内靶，封闭真空室，开始对真空室抽真空，真空度为10^-6；

d、向真空室中输入惰性气体填充；

e、控制电压220V，电流值在4A，并使内靶经磁控溅射在基底材料(干细胞培养皿)表面形成银纳米膜，用银靶对基体轰材轰击，自然冷却，再次打开银靶轰击基底材料(干细胞培养皿)，使固体表面的Ag原子离开银靶并沉积在我们需要的材料(干细胞培养皿)基底表面，直至形成Ag纳米膜，反转放置干细胞培养皿，重复上述过程；

f、取离心容器放置于搅拌机内，打开搅拌机，20转/min，缓慢导入极性惰性分散液，进行化学稳定和溶解，形成第一溶液；

g、向步骤f的第一溶液导入纳米银胶浆，搅拌均匀，形成第二溶液备用；

h、将步骤e中的干细胞培养皿放置于离心容器内，打开离心机进行旋涂；

i、取出干细胞培养皿，抽真空干燥1-4h，在0-5℃条件下保存，制备细胞备用。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述银靶对基体轰材轰击时间15-25min，关闭银靶自然冷却15-30min，再打开银靶轰击基底材料(干细胞培养皿)1-10min。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述极性惰性分散液采用N-N二甲基乙酰胺和N-N二甲基甲酰胺一种或是二者按照0.5：2进行混合。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氦气、氩气中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述极性惰性分散液拓扑分子极性表面积(TPSA)为15-22。

6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述纳米银胶浆占总质量比0.05-0.2％的纳米银含量。

7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述纳米银胶浆占总质量比0.18％的纳米银含量。

8.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述旋涂为速度5000-10000rpm，时间为1-5min下进行操作实现纳米银的负载。

9.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述步骤d中旋涂过程重复1-4次，制得占总质量0.18％的含纳米银基体纳米膜，抽出DMF分散液。

10.根据权利要求1所述的一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养皿的形成方式，其特征在于：所述步骤d中旋涂过程重复3次；

所述步骤e中抽真空干燥时间控制3h，在4℃条件下保存，制备细胞备用。