[发明专利]一种光刻机对准标记制作方法在审
| 申请号: | 202110038886.9 | 申请日: | 2021-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN112666806A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
| 发明(设计)人: | 方小磊;陈涛;刘耀聪;张凯;蔡雨杉;李天成 | 申请(专利权)人: | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;H01L21/67;H01L27/146 |
| 代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
| 地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光刻 对准 标记 制作方法 | ||
1.一种光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,在键合前的两片晶圆上通过任意光刻机分别制作红外对准标记;在键合、减薄后,通过红外光刻机找到存在于两片晶圆中的红外对准标记,利用此红外对准标记在减薄后的晶圆表面制作专用光刻机标记。
2.如权利要求1所述的光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,操作步骤为:
S1:在CMOS图像传感器晶圆与读出电路晶圆键合前,使用任意光刻机在两种晶圆相应位置制作红外对准标记;
S2:在红外对准标记制作完成后,进行常规的键合及减薄工艺。
3.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,步骤S1所述红外对准标记每片晶圆上至少有6个,分别在CMOS图像传感器晶圆与读出电路晶圆边缘均匀分布。
4.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,步骤S1所述相应位置为所述CMOS图像传感器晶圆上的一个红外对准标记后,在所述读出电路晶圆和所述CMOS图像传感器晶圆的对称位置,也制作一个相应的红外对准标记;所述CMOS图像传感器晶圆六个红外对准标记和所述读出电路晶圆键上的六个红外对准标记均为左右对称的标记点。
5.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,在步骤S2中,CMOS图像传感器晶圆与读出电路晶圆键合后,所述红外对准标记为重合状态。
6.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方法,其特征在于,操作步骤还包括:
S3:使用红外光刻机及所述红外对准标记完成对准,再将光刻机专用标记制作在背照式图像传感器的晶圆上;
S4:将所述光刻机专用标记使用在后续光刻工艺中。
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