[发明专利]薄膜材料热膨胀系数的测试装置有效
| 申请号: | 202110037744.0 | 申请日: | 2021-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN112881459B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
| 发明(设计)人: | 刘泽文;张玉龙 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G01N25/16 | 分类号: | G01N25/16 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李岩 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 材料 热膨胀 系数 测试 装置 | ||
1.一种薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,包括:
热膨胀系数测试结构,所述热膨胀系数测试结构包括衬底、射频传输线和热膨胀系数测试MEMS结构,所述射频传输线设置在所述衬底的上表面上且包括第一信号线段和第二信号线段,所述第一信号线段和所述第二信号线段间隔开地布置;所述热膨胀系数测试MEMS结构包括待测薄膜组件、具有纵向位移放大功能的梁结构和用于射频测试的位移测量结构,其中,所述待测薄膜组件设置在所述衬底的上表面上且与所述第一信号线段相连,所述梁结构与所述待测薄膜组件相连;所述位移测量结构与所述第二信号线段相连,且间隔开地位于所述梁结构的下方;
加热结构,所述加热结构用于对所述热膨胀系数测试结构进行加热;
射频测试仪器,所述射频测试仪器用于与所述射频传输线相连,以测试所述热膨胀系数测试MEMS结构的射频隔离度,通过所述射频隔离度反推所述待测薄膜组件中的待测薄膜热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述待测薄膜为金属薄膜时,所述待测薄膜 组件仅由所述待测薄膜构成,所述待测薄膜直接堆叠设置在所述衬底的上表面上,所述梁结构与所述待测薄膜相连;所述待测薄膜为非金属薄膜时,所述待测薄膜组件由所述待测薄膜和已知热膨胀系数的金属功能层构成,所述待测薄膜和所述金属功能层堆叠设置在所述衬底的上表面上且所述金属功能层位于所述待测薄膜的下方或上方,所述梁结构与所述金属功能层相连。
3.根据权利要求1所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述梁结构为单端固支梁,其中,所述梁结构为单端固支梁时,所述梁结构的一端与所述待测薄膜组件相连,所述梁结构的另一端间隔开地位于所述位移测量结构的上方。
4.根据权利要求 1所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述位移测量结构为金属-空气-金属电容结构。
5.根据权利要求4所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述位移测量结构为串联电容结构、并联电容结构或由多个电容组成的电容网络结构。
6.根据权利要求1所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述热膨胀系数测试结构采用探针台方式或测试板方式进行射频性能测试。
7.根据权利要求 1所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述梁结构采用导电金属制成。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述射频传输线为共面波导传输线或微带线。
9.根据权利要求1-7中任意一项所述的薄膜材料热膨胀系数的测试装置,其特征在于,所述加热结构具有温控及测温功能。
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