[发明专利]N-GQDs/AgPt中空树突结构纳米复合材料及其制备与应用

权利要求书

1.一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料，其特征在于：以附着在Ag表面的氮掺杂石墨烯量子点N-GQDs为载体，光照处理后通过置换反应使AgPt合金分别附着于N-GQDs内外两侧，形成中空树突结构。

2.如权利要求1所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：

（1）Ag/N-GQDs的制备：将氮掺杂的石墨烯量子点、硝酸银加入去离子水中搅拌混合均匀，在80℃~100℃下反应20~40min，冷却至室温，离心，得到Ag/N-GQDs纳米颗粒；

（2）Ag/N-GQDs的光照处理：将Ag/N-GQDs纳米颗粒陈化10~12h后，利用高压钠灯照射1~3h，得到光照处理后的Ag/N-GQDs纳米颗粒；

（3）N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备：将光照处理后的Ag/N-GQDs纳米颗粒加入去离子水中，依次加入还原剂抗坏血酸和氯铂酸，室温下反应40~60min；反应产物用乙醇和水离心洗涤去除残留物，得到目标产物N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料。

3.如权利要求2所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，氮掺杂的石墨烯量子点与硝酸银的质量比为0.7:1~0.8:1。

4.如权利要求2所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，硝酸银与氯铂酸摩尔比为0.6:1~1.2:1。

5.如权利要求2所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，氯铂酸与还原剂抗坏血酸的摩尔比为0.06:1~0.08:1。

6.如权利要求2所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，氯铂酸的浓度为15~20mM。

7.如权利要求2所述的一种N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，离心洗涤是以10000~13000转/分的离心速度离心10~20min。

8.如权利要求1所述的N-GQDs/AgPt中空树突纳米复合材料作为催化剂在甲醇氧化反应中的应用。