[发明专利]一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法

说明书

本发明公开了一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，包括如下步骤:（1）准备好已经在表面完成初次划片道的晶圆；（2）在所述晶圆的表面形成氮化硅；（3）把所述晶圆和所述玻璃基板键合在一起；（4）在所述的晶圆上涂覆光刻胶体；（5）把所述光刻胶体位于划片道区域内的部分去除；（6）把所述晶圆位于划片道区域内的部分去除；（7）将所述光刻胶体去除；（8）将所述晶圆和所述玻璃基板分离；从而完成半导体器材的划片道芯片半成品。本发明，结构简单，降低划片的成本，加快生产速度，缩小划片道的宽度，节省了划片道占用的空间。

技术领域

本发明属于半导体生产技术领域，更具体地说，是涉及一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法。

背景技术

在芯片的加工过程中，为了后续的划片操作，在晶圆的生产过程中会加入划片道的结构（如图1所示）。

划片道的功能是为了在后续取芯前，把各个芯片通过划片的方式切割开，最后实现取芯封装。

如图2所示，为划片道的具体结构，宽度X1，深度Y1。目前的划片道宽度为X1=45um; 深度=20um。

后续的工艺为减薄，如图3所示，减薄后晶圆的厚度为Y2

最后的工序为画片，如图4所示，即用金刚刀在划片道处把芯片划开，提供后续封装使用。如图5所示，为划片后的芯片。

这种工艺流程，生产成本高、加工速度慢，占用空间大。

发明内容

本发明的目的就是要解决上述背景技术的不足，提供一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，以达到降低划片的成本，加快生产速度，缩小划片道的宽度，节省了划片道占用的空间的目的。

按照本发明提供的技术方案：一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，包括如下步骤:

（1）准备好已经在表面完成初次划片道的晶圆；

（2）在所述晶圆的表面形成氮化硅；

（3）把所述晶圆和所述玻璃基板键合在一起；

（4）在所述的晶圆上涂覆光刻胶体；

（5）把所述光刻胶体位于划片道区域内的部分去除；

（6）把所述晶圆位于划片道区域内的部分去除；

（7）将所述光刻胶体去除；

（8）将所述晶圆和所述玻璃基板分离；从而完成半导体器材的划片道芯片半成品。

作为本发明的进一步改进，所述步骤二采用CVD工艺，将所述晶圆放入炉管中，温度为850-950°C，通氮气，在所述晶圆的表面形成所述氮化硅,厚度为7-18um。

作为本发明的进一步改进，所述步骤三通过芯片打线及邦定的工艺，把所述晶圆和所述玻璃基板 键合在一起；温度为400°C-450°C。

作为本发明的进一步改进，所述步骤四采用手工注入或丝网印刷方式，在所述晶圆上表面涂上光刻胶，并固化形成所述光刻胶体；采用加热板或烘箱对所述光刻胶进行固化；固化温度为90°C-150°C。

作为本发明的进一步改进，所述步骤五采用曝光工艺，在光刻机上进行，把光刻胶体位于划片道区域内的部分曝光后去除。

作为本发明的进一步改进，所述步骤六采用等离子干法刻蚀，把所述晶圆位于划片道区域内部分刻蚀穿，到所述玻璃基板的位置停止刻蚀，使得所述晶圆部分自上到下完全刻蚀穿。

作为本发明的进一步改进，所述步骤七采用胶湿法去胶、干法去胶或者两者结合的方式去除晶圆表面光刻胶体。